[参考译文] TMDXEVM5515：同时使用 NOR 闪存擦除和写入将导致闪存忙

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/602754/tmdxevm5515-nor-flash-erase-and-write-using-in-meantime-will-cause-flash-busy

器件型号：TMDXEVM5515

您好！

基于 CCS4 EVM5515 NOR 闪存测试示例代码、我尝试测试 NOR 闪存写入的速度。 写入的数据为1M 字节。 如果我单独测试写入、在删除擦除代码的情况下、时间大约为10-15秒。 如果我单独测试擦除、使用以下代码并删除写入、则大约为4-5秒。 但是、如果我先擦除、然后再写入、我将花费大约10分钟甚至更多的时间。 这里的问题是什么？

ADDR = FLASH_base；
#if 1.
/*写入前擦除*/
errors=norflash_erase (addr、flash_pagesize)；
/*检查错误*/
如果(错误)
｛
printf("错误：正在擦除代码%d\n"，错误)；
return (错误| 0x8000)；
｝
#endif
#if 1.
/*将模式写入闪存*/
错误= norflash_write(( uint32 ) tx、addr、buf_len )；
/*检查错误*/
如果(错误)
｛
printf("错误：正在写入代码%d\n",错误);
return (错误| 0x8000)；
｝
#endif