数据表为该输入指出了12pf-18pF 的串联负载电容。 但 EVM 的 BOM 具有8pF 负载晶体(CX3225GB22579D0HEQCC)。 这是个好主意吗?
此外、OSC1还为此晶体指定了19.2MHz-32MHz、具体而言是否有理由选择22.579MHz?
原理图和 BOM I 使用了一组12pF 的电容器(请参阅第8页的 C102/3)。
在我看来、这似乎 不符合规格、因此仍然是一个问题。 负载电容器通常应是晶体负载电容的1.5至2倍、因为它们在晶体引脚上串联(通过接地)。 晶体上接地的2个12pF 电容器在引脚上类似于6pF 电容器。
有什么想法?