[参考译文] PROCESSOR-SDK-AM62X：TI ROM 引导加载程序是否支持多平面 NOR 闪存？

您好：俞升健

您的陈述不是很准确；我们发现 TI ROM 引导加载程序不支持特定系列的 Micron SPI NAND 闪存、这些闪存需要从缓存/缓冲区读取命令来理解如何更改缓存编号。 这对于其他多平面存储器、甚至是未来的多平面存储器都可能是如此、因为 Micron 实现方案是特定于供应商的。 查询该系列 NAND 闪存以确定该要求的唯一方法是读取参数表的字节166、该字节是供应商特定字段(请参阅 ONFI 规范 https://www.onfi.org/specifications 参数页数据结构定义)。 我没有看到任何其他供应商提供的类似 SPI NAND 闪存、但如果您看到过这样的存储器、请尽可能分享器件型号和数据表。

另一方面、SPI NOR 闪存通常更简单。 假设 主机具有足够的存储器、读取命令通常允许在一个读取命令中读取整个闪存阵列。 我还没有看到任何多平面或闪存、或者至少显示了这样的存储器、但如果您看到标记为多平面的存储器、也请分享、以便我们可以将其提交给团队进行分析。

此致、

卢卡斯

您好、Yu 胜建、

使用此数据表作为参考、如果您的数据表有所不同、请将其附加到 TT： https://media-www.micron.com/-/media/client/global/documents/products/data-sheet/nor-flash/serial-nor/mt25q/die-rev-b/mt25q_qlkt_l_02g_cbb_0.pdf?rev=43f7f66fc8da4d7d901b35fa51284c8f 

我认为该器件将与我们的引导器件兼容、有几个条件；下面是我的分析。 请注意、这只是一个功能分析、请让您的电路板设计/时序团队查看 AM62数据表的 OSPI 部分、了解时序要求和开关特性、并与闪存进行比较。

• 对于该闪存、我们 SoC 上适用的引导模式应为 QSPI 引导和 SPI 引导
  • QSPI 引导使用命令0x6B、在50MHz 下具有3字节寻址和8个虚拟周期。 格式为1S-1S-4S (来自 TRM)。
    • 器件的操作码为0x6B、支持1S-1S-4S 格式的四路输出快速读取。
    • 对于该器件、读命令应该处于扩展 SPI 模式、这意味着确保协议模式的非易失性设置正确。 如果处于四通道模式、则 所需的最小虚拟周期数为10、这是不受支持的(请参阅闪存数据表中的注释5)、格式变为4S-4S-4S、也不受支持。
    • "快速读取"的虚拟周期(0x6B 是四路输出快速读取)是非易失性寄存器中的设置、应设置为8以匹配我们的 ROM (请参阅闪存数据表中的注释5)。
    • 我们的 ROM 使用3字节寻址、在非易失性配置中、它选择通过此方式访问哪个128MB 段；请确保将映像放在适当的段中。 此外、保持对3字节寻址模式进行编程。  
  • SPI 引导使用命令0x3、具有3字节寻址、 在6.25MHz 时无虚拟周期。 格式为1S-1S-1S ( 来自 TRM)。
    • 器件的操作码为0x03、支持1S-1S-1S 格式的读取。
    • 对于该器件、读命令应该处于扩展 SPI 模式、这意味着确保协议模式的非易失性设置正确。  此操作码在任何其他模式下都不起作用。
    • 我们的 ROM 使用3字节寻址、在非易失性配置中、它选择通过此方式访问哪个128MB 段；请确保将映像放在适当的段中。 此外、保持对3字节寻址模式进行编程。  

如果您对我的分析有任何疑问、请跟进。 此外、请让您的电路板设计/计时团队查看 AM62数据表的 OSPI 部分、以了解时序要求和开关特性、并与闪存进行比较、因为我的分析中不包含此内容。

此致、

卢卡斯

您好：胜健

我正在关闭该主题、因为我们没有听到您的声音。

此致、

Sreenivasa