您好、TI、
我们知道、TI ROM 引导加载程序 不支持多平面 NAND 闪存、而只支持单平面 NAND 闪存。 但 NOR 闪存呢? 是否也存在这样的限制?
谢谢、
BR
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您好、TI、
我们知道、TI ROM 引导加载程序 不支持多平面 NAND 闪存、而只支持单平面 NAND 闪存。 但 NOR 闪存呢? 是否也存在这样的限制?
谢谢、
BR
您好:俞升健
您的陈述不是很准确;我们发现 TI ROM 引导加载程序不支持特定系列的 Micron SPI NAND 闪存、这些闪存需要从缓存/缓冲区读取命令来理解如何更改缓存编号。 这对于其他多平面存储器、甚至是未来的多平面存储器都可能是如此、因为 Micron 实现方案是特定于供应商的。 查询该系列 NAND 闪存以确定该要求的唯一方法是读取参数表的字节166、该字节是供应商特定字段(请参阅 ONFI 规范 https://www.onfi.org/specifications 参数页数据结构定义)。 我没有看到任何其他供应商提供的类似 SPI NAND 闪存、但如果您看到过这样的存储器、请尽可能分享器件型号和数据表。
另一方面、SPI NOR 闪存通常更简单。 假设 主机具有足够的存储器、读取命令通常允许在一个读取命令中读取整个闪存阵列。 我还没有看到任何多平面或闪存、或者至少显示了这样的存储器、但如果您看到标记为多平面的存储器、也请分享、以便我们可以将其提交给团队进行分析。
此致、
卢卡斯
您好、Yu 胜建、
使用此数据表作为参考、如果您的数据表有所不同、请将其附加到 TT: https://media-www.micron.com/-/media/client/global/documents/products/data-sheet/nor-flash/serial-nor/mt25q/die-rev-b/mt25q_qlkt_l_02g_cbb_0.pdf?rev=43f7f66fc8da4d7d901b35fa51284c8f
我认为该器件将与我们的引导器件兼容、有几个条件;下面是我的分析。 请注意、这只是一个功能分析、请让您的电路板设计/时序团队查看 AM62数据表的 OSPI 部分、了解时序要求和开关特性、并与闪存进行比较。
如果您对我的分析有任何疑问、请跟进。 此外、请让您的电路板设计/计时团队查看 AM62数据表的 OSPI 部分、以了解时序要求和开关特性、并与闪存进行比较、因为我的分析中不包含此内容。
此致、
卢卡斯