我正与客户合作、将入门套件的各个方面集成到设计中。 客户对 DDR3路由的潜在变化有一些疑问。
您能否帮助回答以下问题：
1) 1)入门套件在多个位置使用盲孔。 在许多情况下、过孔明显会影响其他层上所需的路由通道。 在其他情况下、使用盲孔、其中可能使用了直通孔。 根据电路板的尺寸和层、如果不需要盲孔或背钻过孔、我们可以节省20-30%的 PCB 空间。 一旦我们移除了设计不需要的网、我们现在就有了更多的通孔、可以通过样式转换为通孔。
a)盲孔是否仅用于信号完整性、我们是否可以通过通孔将其转换为盲孔？
b)如果为了实现信号完整性、我们是否可以将 DDR3布线从第3层移动到第6层、以便生成的过孔残桩非常小？
2) 2)入门套件在多个区域中使用4mil 走线进行 DDR3布线。 将这些电容转换为5mil 将为我们提供更大的生产灵活性。 我们了解需要确保满足阻抗和间隙间距要求。 我们是否可以切换到5mil？
3) 3)入门套件在地址、时钟和许多控制选通上使用0欧姆串联电阻。 我们希望消除这些和任何相关的过孔、以将信号置于顶部。 这似乎非常有利、因为它只改进了布线、但我们想知道添加这些器件是否有任何目的。 它们似乎违反了所提供的准则。
4) 4)入门套件使用 Micron DDR3L。 这些器件目前处于分配状态、因此当我们准备好构建时、它们可能不可用。 我们正在从 ISSI 寻找第二个采购器件、正如我可以看到的、每个方面的规格都是相同的。 在开发阶段、我们将迁移到密度较低的器件、因为我们认为我们的系统只需要512MB。
存储器器件型号：
Micron 原始入门套件部件： DDR3L MT41K256M16HA-125 (-1600、256Mx16)
Micron 原型 DDR3L MT41K256M16TW-093：P (-2133、256Mx16)
ISSI 原型 DDR3L IS43TR16256AL-15HBL (-1333、256Mx16)
Micron Production DDR3L MT41K128M16JT-125：K (-1600、128Mx16)
