请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：AM5726 我正在考虑在 DDR3存储器总线上使用一些电阻器阵列或0201部件进行线路端接。 所讨论的部件是 EVM 第23页上的电阻器。 (TI_AM572XEVM_REV_A3a.PDF 原理图)
我发现的电阻器阵列的容差仅为5%、而0402分立器件的容差为1%。 我不确定这会如何影响性能。
使用0201分立式电阻器的问题是 、设计指南中提到了小于0402的器件的电感问题。
EVM 使用不符合 IPC96的0402封装，因此我们无法将0402器件放置在 EVM 设计中。
我们正在设计 DDR3-1600 (1.25 nS)和 DDR3-1866 (1.07 nS)部件、但计划以 DDR3-1066 (533 MHz)的速度运行。 此外、这些器件还将设置为 DDR3L 电压电平(1.35V)。
我的问题是、哪个问题会导致设计出现更多问题？ 0201器件的电感问题或电阻器阵列的容差问题？
