Other Parts Discussed in Thread: AM5728
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器件型号：AM5728 您好！
在 AM5728 GP EVM 上、多个晶体电容器设计是不同的。 根据应用手册 SLLA122、在为晶振选择电容器时、需要考虑电路的杂散电容(=Cboard+Cdevice)。
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我根据晶体 CLoad 计算了 CSTRAY (=Cboard+Cdevice)值、并针对 GP EVM 中使用的每个晶体计算了 CL1、CL2值、我发现每个 Cboard+Cdevice 都是不同的。 例如、
Y2、Cload 为18pf、CL1、使用的 CL2为18pF、因此 CSTRAY 计算结果为9pF。
Y3、Cload 为8pF、CL1、使用 CL2为12pF、杂散计算值为2pF。
Y1、Cload 为6pf、CL1、使用 CL2为10pF、CSTRAY 计算为1pF。
Y3、Y1、Ctray 似乎明显偏低、这违反 了 SLLA122 (2pF~5pF + 3pF~6pF)中提到的典型值。
我知道杂散电容与晶体本身和布线布局有关、但您能否确认在计算晶体的电容时通常使用的 Cdevice+Cboard 值？
