请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：66AK2G02 您好、香榭丽舍
我的客户正在设计两个板、一个使用8b DDR3L、另一个使用16b DDR3L。 我们想知道、具有通过 K2G 接口连接到 DDR3L 来设计系统的经验的 EVM 设计人员是否可以就以下问题提供指导：
Q1：EVM 上使用的8位 DDR3L 上有9个 VDD 电源焊球和4个 VDDQ 电源焊球、我们使用的是类似的器件。 我们将使用8个0.1uF 电容器和5个.01uF 电容器(13个电容器用于13个焊球)。 你们是否认为有任何特定的焊球更重要、以便优先放置.1uF 电容器？
Q2：具有16b DDR3L 的另一个板将具有九个 VDD 和九个 VDDQ 焊球。 我们希望仅使用18 .1uF 电容器、每个焊球一个。 这意味着没有.01uF 电容器。 我们可以摆脱这种情况、还是强烈建议大家确保有一些.01uF 电容器来覆盖更高频率的内容？
谢谢、
Brian
