请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：DRA746 主题中讨论的其他器件：DRA750
我们使用 GPMC 作为 NAND 闪存 I/O 接口、我们发现在 I/O 引脚上测得的波形(图2)(例如、GPMC_AD0)具有错误的 I/O 电平(类似于 Hi-Z 电平、在本例中、光标 b 得到的电压为1.75V)、
它甚至不是 H 或 L 电平、我们使用的闪存为 MT29F2G16ABAEAWP-AIT-E
闪存供应商说他从未看到过这种波形。
图1是我们在 EVB (GPMC_AD3)处测量的波形、可以看到此照片中也有高阻态电平。
您能告诉我们这些高阻态电平是如何出现的？
图1 (顶部)和图2 (底部)
