[参考译文] RTOS/TMDSEVM572X：DDR 访问延迟

RTOS 团队已收到通知。 他们将在这里作出回应。

您好！

我们没有 DDR 延迟编号、但您可以使用时间戳对其进行测量。 例如、在 ti\drv\pci\examples\src\pcie _sample.c 中、有一个函数 uint32_t readTime32 (void)可用于测量时钟周期。

此致、Eric

非常感谢您提供的信息..........

但是、这个函数将如何为我提供执行从外部存储器指令读取数据所需的时钟周期数？

Anjana Pathak

您好！
函数是
静态 uint32_t readTime32 (void)
｛
uint32_t timeVal；

#if 定义(_TMS320C6x)
timeVal = TSCL；
#Elif __ARM_ARCH_7A__
_ASM____volatile__("MRC P15、0、%0、C9、C13、 0\t\n"："=r"(timeVal)；
其他
/* M4的具体执行*/
静态 uint32_t silumTimer = 0；
多路复用器++；
timeVal = simumTimer；
#endif
返回 timeVal；
｝
在这里、当我调用该函数时、它将首先设置 simuTimer =0
因此、我得到的返回值将始终相同
t1 = readTime32()；
T1 = 1；
您的 DDR 访问代码
t2 = readTime32()；
T2=1；
因此、这不会提供从外部存储器读取"n"个数据所需的确切时钟周期。
请澄清。

谢谢、此致、
Anjana Pathak

您好！

我使用此函数来查找从外部存储器(物理存储器)读取数据(大小为637000字节)所需的时间为407300000计数。

这意味着时钟频率为1000MHz。 时钟节拍为1nsec、这意味着读取这些字节、处理器需要407300000 nsec、即407.3mil。 分析是否正确？

我的代码是

MEM_xdata =(uint16_t *) 0x0090000000；//0x80000010；

// Nimu_log ("%d\n"、(int)*Mem_xdata)；

// Mem_xdata_1 =(uint16_t *) 0x0090000004；// 0x80000010；
start_time=readTime32()；//CountPRT；
for (j=0；j<5；j++)
｛
对于(i=0；i<63700；i++、k++)
｛
array_triy[j][i]=*(Mem_xdata+k)；
//Nimu_log ("%d %d\n"、(int)*(Mem_xdata+I)、(int)* Mem_xdata_1)；
｝
｝
end_time = readTime32()；//CountPRT；
//CountPRP=0；

/* for (j=0；j<5；j++)
｛
对于(i=0；i<63；i++)
｛
Nimu_log ("%d\n"、array_trial [j][i])；
｝
}*/
Nimu_log ("开始时间：%d\n"、开始时间)；
Nimu_log ("结束时间：%d\n"、end_time)；
Nimu_log ("%d\n"、(end_time-start_time))；

请查找随附的  

谢谢

Anjana Pathak

您好！
我将类型从 uint16_t 更改为 uint32_t、现在从物理存储器读取637000字节所需的时间为350毫秒、以前为407.3毫秒。
如何将其减少到微秒？
如何设置高速缓存以获得更好的性能？
如何在更靠近 CPU 的位置运行内存中的代码？

谢谢、
Anjana Pathak

请回复..........