您好、TI 专家!
在我们的应用场景中、我们需要检测 DDR 刷新并在跟踪总线上以(极低)的延迟(~100ns)通知它们。
充其量、我们只希望在 DDR 刷新出现时在跟踪总线上生成事件、而不会使跟踪过载。
我们确定了两种检测刷新的方法:
1)通过扫描 DDR 性能/刷新计数器
2)通过使用 CPtracel 引擎检测 DDR 的异常反应时间
对于1):
根据我们的理解、来自 DDR 控制器的 DDR 刷新计数器似乎无法从调试/跟踪系统进行访问。
我们可能会使用 DMA 和/或 ECAP、但如果可以从(U) DMA 或 ECAP 访问 DDR 性能计数器、我们将找不到相关信息?
在哪里可以找到这些信息?
对于2):
利用 CPtracers,我们可以通过监视 MSMC1->EMIF0接口来检测 DDR 反应时间,例如,使用延迟模式。
但由于只有在统计时间窗口结束时才生成消息并将其转发到跟踪聚合器、因此发送此类消息的速度似乎不可能超过1us 的时间。
(最小统计时间窗口周期?)
我们的理解是否正确、如果是、您是否看到 CP示 踪剂还有其他可能识别"DDR 异常 反应时间" 并 更快地在迹线上发送事件/消息?
非常感谢
劳伦特