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您好!
正如我在 EVB 原理图中看到的、有两个 DDRCLK、这似乎不合逻辑、
您能告诉我、哪个 DDRCLK 是正确的吗?
此外、当我测量 CLK 发生器的温度( CDCE62005 )在 EVM 上、我在运行10分钟以内测得温度超过85摄氏度... 而器件的工作温度为-40至85摄氏度。 如果 TI 知道该元件过热、有何建议? 使用散热器/风扇...
Daniel:
DDRCLKP 和 DDRCLKN 是差分对。 两个信号有效地创建一个时钟。
我将进入 CDCE 团队回答:您的临时问题。
此致、
凯尔
是的、但某些页面会写入50MHz 和其他一些66.6MHz。
另外、感谢提前解决有关 CDCE62005的温度问题
Daniel:
使用66.6 MHz 输入时钟时、可实现1333 MT/s 的最大时钟 DDR 频率。
此致、
凯尔
Daniel / kcastille、
为 CDCE62005 时钟发生器相当耗电、并且容易出现高温-在实际系统中、推荐使用 CDCE6214。
在这种情况下、建议使用散热器或风扇来降低器件温度。
之前、该器件在评估模块上的热性能会令人难以置信: https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/336757/cdce62005-clock-ic-getting-heated-up-in-tms320c6670-evaluation-board?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=cdce62005%25252520heat#
谢谢。
卡德姆
Daniel:
如果输入时钟为50 MHz、
DDR OutFreqMhz = 2 x inFreq x mult / postdiv = 2 x 50 x 20 / 2 = 1000 MHz
----------------
如果输入时钟为66.667 MHz、
DDR OutFreqMhz = 2 x inFreq x mult / postdiv = 2 x 66.667 x 2 x 20 / 2 = 1333.3 MHz
DDR 时钟可根据需要改变。
有关时钟乘法器和除法器的更多详细信息、请参阅 C6657的 GEL 文件
---
在 EVM 页面中、他们应该一直维护所有页面中的50 MHz 或66.667 MHz。
由于 DDR3内存的标准速度均为1333 MT/s、因此我建议您考虑输入时钟为66.667。
此致
尚卡里
尊敬的 Kadeem:
CDCE6214 不能作为替代产品、因为它不在 TMS320C6655规范下:
作为 LVDS 输出的 CDE6214上升/下降时间:
TMS320C6655上升/下降时间规范(来自 KeyStone 设计指南修订版 D):
Daniel:
此处、CDCE62002可能是更合适的替代器件-请参阅下面的 LVDS 转换时序:
如果此部件不起作用、您能否与我分享一下 Keystone 设计指南、以便我获得完整的时钟规格?
谢谢。
卡德姆
尊敬的 Kadeem:
感谢您的支持、
CDCE62002上只有两个 LVDS 输出、这对于我的应用来说是不够的。 我需要3个 LVDS 输出才能将时钟发生器连接到 DSP 6655 (250MHz、100MHz、66.6MHz)。
此外、它看起来与 CDCE62005相同的组件系列;如何确保它不会过热?
Daniel:
在前面的多个线程中、由于 CDCE62005的过热问题、我们建议使用 CDCE62002来代替 CDCE62005。
如果需要三个输出、则可能需要一个 LMK 器件、例如 LMK03318、其性能优于 CDC 器件:
LMK03318的典型 LVDS 上升/下降时间符合前面指定的标准:
或者、为了尽可能降低功耗、LMK04208可用作时钟发生器(以更大范围为代价):
随附了一份完整的器件报告、这些器件能够以 LVDS 输出格式生成这三种输出频率-请注意、并非所有器件都满足压摆率要求:
e2e.ti.com/.../cta_2D00_export_5F00_2023_2D00_9_2D00_13_5F00_11_3B00_55_3B00_23.pdf
谢谢。
卡德姆
您好,Kyle
我在查看 TI SDK 后 发现、
/* 1333 MHz 的 DDR3 PLL 设置*/
#define PLLM_DDR3 79
#define PLLD_DDR3 2
它与50MHz 50*(1+79)/(1+2)=1333的 DDR 时钟一致。
我们还在时钟发生器上测量了 DDR 时钟、发现它是50MHz。
Doron、
好的、听起来不错。 我错误地认为 SDK 是 以不同的方式对 PLL 设置进行硬编码。
此致、
凯尔