[参考译文] AM620-Q1：关于 OSPI 闪存 SysConfig 设置(协议、输入时钟频率)

以下是有关您的问题的详细说明：

[报价 userid="402494" url="~/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1444331/am620-q1-about-ospi-flash-sysconfig-settings-protocol-input-clock-frequency ]Q1. 在.syscfg 中、串行闪存配置支持三种协议类型："1-1S-1S"、"1S-8S-8S"和"8D-8D-8D"。 但是、在 AM62x 技术参考中、OSPI 引导支持"仅1S-1S-8S"、串行 NAND 引导支持"1S-1S-1S ~ 1S-1S-8S"、因此唯一与此匹配的是串行 NAND 引导的"1S-1S-1S"。
此协议是否不必与引导协议规范相匹配？
我是否应该根据 SDK 中的串行 NAND 闪存引导示例为协议选择"1S-8S"？[/QUOT]

因此、目前我们的 SDK 产品具有：

1. NOR 闪存：支持的最佳性能是8D-8D-8D 模式、其中采用166 MHz、时钟分频器8、DMA 启用、PHY 启用。
2. NAND 闪存：支持的最佳性能为1S-8S 模式、具有166 MHz、时钟分频器4、DMA 启用、PHY 启用

Unknown 说：

Q2. 在.syscfg 的 OSPI 驱动程序配置中、在设置输入时钟频率(Hz)和输入时钟分频器设置时、我应该参考哪里？ 这些设置是否参考下图中 QSPI 闪存控制器的 OSPI_RCLK 和分频器？[/QUOT]

RCLK 是您指定的频率、分频器仅在某些情况下有效。

假设您的频率为166 MHz、分频器为4。 因此、当：

1. PHY 被禁用：所有 OSPI 操作、读取/写入/擦除以166/4 ~ 40 MHz 的频率发生。
2. PHY 启用：所有 OSPI 操作(读取除外)都发生在40 MHz、只有读取操作发生在166 MHz。 总之、当 PHY 启用时、读取操作发生在166 MHz、因为绕过时钟分频器以加快读取速度、但其余操作(如写入和擦除)仍会发生在40 MHz。

[quote userid="402494" url="~/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1444331/am620-q1-about-ospi-flash-sysconfig-settings-protocol-input-clock-frequency Q3. 在 SDK 示例的串行 NAND 闪存启动示例中、输入时钟频率(Hz)为"166666666"、输入时钟分频器为"4"。 为什么这些设置设置设置为这些值？

如前所述、这是我们当前支持的时钟、加上对于 SDR、我们的时钟分频器值始终为4。

我希望这能解答你所有的疑问。

此致、

Vaibhav