[参考译文] TDA4VEN-Q1：LPDDR4调整失败

admin

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Other Parts Discussed in Thread: AM67, SYSCONFIG

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1413187/tda4ven-q1-lpddr4-adaptation-failed

器件型号：TDA4VEN-Q1
主题中讨论的其他器件：AM67、 SysConfig

工具与软件：

您好、TI 专家 J ü、

我们正在对 EVM 板上的新 DDR 芯片(Samsung 4G K4FBE3D4HB-KHCT2V)进行调整、但 uboot 采样似乎无法正常启动。

以下是我们采取的一些措施：

请参阅新的 DDR 参数、并使用 DDR 生成工具(SysConfig (TI.com))生成新的 DDR 配置文件。

将生成的文件重命名为 k3-j722s-ddr-lp4-50-3733.dtsi、并替换原始的 k3-j722s-ddr-lp4-50-3733.dtsi ；

3．修改 k3-j722s-evm.dts 中的内存节点、如下所示

内存@8000000｛

/* 8G RAM */

REG =<0x00000000 0x80000000 0x00000000 0x80000000>

<0x00000008 0x80000000 0x00000000 0x80000000>；

device_type ="存储器"；

bootph-pre-ram；

}；

4.重建 u-boot-R5并替换 SD 引导分区中的 tiboot3.bin。

问题：

1. 新的 DDR 参数是如下文件,请帮我检查参数是否正确?

e2e.ti.com/.../TDA4VEntry-DDR-Config-Tool_4D916E7FC2537065_.xlsx

2.为什么 uboot spl 启动失败、如下图所示？

上传生成的文件(使用时、请将其重命名为 settings_info.syscfg)：

e2e.ti.com/.../settings_5F00_info.syscfg.txt

此致。

1 年多前

0 admin 1 年多前

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您好！

Unknown 说：
我们正在修改新型 DDR 芯片(Samsung 4G K4FBE3D4HB-KHCT2V)[/报价]
这似乎是一个32Gbit 器件、宽度为 x32。假设等级为双等级、各通道密度(按等级)为8Gb。 (如果您认为这不正确、请告诉我...、因为我没有数据表)

TI EVM 上使用的器件是具有 x32宽度的双列、但通道密度(每个列)是16GB。

第一步、我们是否可以尝试将 SysConfig 中用于 AM67的 TI 默认设置作为起点、并仅进行修改以解决您选择的存储器和 TI EVM 上的存储器之间的密度差异？ (请参阅下面的文件)

e2e.ti.com/.../am67_5F00_cust_5F00_.k4fbe3d4hb_5F00_test1.zip

谢谢！
Kevin

0 admin 1 年多前

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尊敬的 Kevin：

通过电子邮件向您发送数据表。

BR、

Biao

0 admin 1 年多前

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尊敬的 Kevin：

很抱歉延迟、因为我不在办公室度假。

jiangtao xie 说：
这似乎是一个32Gbit 设备、宽度为 x32。假设等级为双等级、各通道密度(按等级)为8Gb。 (如果您认为这不正确、请告诉我...因为我没有数据表)[/QUOT]
"我想,你是我的!

jiangtao xie 说：
在第一步中、我们能否尝试使用适用于 AM67的 SysConfig 中的 TI 默认设置作为起点、并且只进行修改以考虑已选择的存储器与 TI EVM 上的存储器之间的密度差异？ (请参阅以下文件)[/QUOT]
在为 AM67使用 SysConfig 中的 TI 默认设置后、将 k3-j722s-ddr-lp4-50-3733.dtsi 替换为 u-boot 中附件所含的文件。控制台上的输出如下所示。

此致。
[/quote]

0 admin 1 年多前

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尊敬的 Kevin：

您是否可以向客户提供一些调试二进制文件？客户现在可以使用800MHz 成功引导、但在更高的频率下引导失败、我已经尝试帮助更改配置工具中的一些参数、但都无法正常工作。以及如何在 TDA4VEN 中禁用 CBT 培训？客户正在使用 Samsung LPDDR、我认为这可能与 CBT 培训有关。请帮助优先考虑这一点、客户已经构建了他们的定制板、某些问题即使在800MHz 中也会出现、我们需要帮助客户更早地修复它。

Biao

0 admin 1 年多前

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尊敬的 Biao：

Unknown 说：
您是否可以向客户提供一些调试二进制文件？

否、不适用于此设备。

初始化 DDR 后、它们是否能够运行一些存储器测试？ (将一些已知数据写入 DDR、然后读回并比较该值)？

客户构建并尝试开发了多少块电路板？它们的行为是否都相同？

此致、
Kevin

0 admin 1 年多前

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尊敬的 Kevin：

感谢您的回复、他们可以在800MHz 中运行 mem 测试、但他们的问题是电路板在更高的频率(1600或1866)下无法启动、客户生产伺服板、都有相同的行为、客户还尝试将 EVM LPDDR4返修至 Samsung LPDDR4、故障与客户电路板相同。之前、我还怀疑 EVM 返工中的信号完整性、但现在定制板存在相同的问题。

BR、

Biao

0 admin 1 年多前

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尊敬的 Biao：

在不同的 DDR 数据速率下上传所有寄存器转储值。稍后我将上传 memtester 测试的结果。

e2e.ti.com/.../regdump_5F00_dr_5F00_2000_5F00_DDRSS_5F00_PHY_5F00_67_5F00_323_5F00_579_5F00_835_5F00_set_5F00_0x104.txt

e2e.ti.com/.../regdump_5F00_dr_5F00_3733.txt

e2e.ti.com/.../regdump_5F00_dr_5F00_1400.txt

此致。

0 admin 10 个月前

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正在解锁该线程。

0 admin 10 个月前

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您好！

Unknown 说：
稍后我将上传 memtester 测试的结果。

此处是否仍需要帮助？您是否能够完成 memtester 测试？

此致、
Kevin

0 admin 10 个月前

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尊敬的 Kevin：

我将让客户很快上传 mem 测试器结果、您能帮助查看 reg 转储吗？您能在这里看到任何异常吗？

BR、

Biao

0 admin 10 个月前

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尊敬的 Kevin：

很抱歉在这个问题上没有取得有效进展。以下是 memtester 在800MHz 的 DDR 速率下测得的结果。请检查它。
此外、我想问一下如何获得所有 MR 寄存器的值？

e2e.ti.com/.../samsung-4g-ddr_5F00_data-rate-800m_5F00_memteste-1g-failed.txt

此致。

0 admin 10 个月前

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您好！

感谢更新-看起来 DQ 总线的下半部分正在损坏。可能是由 CA/CS 时序造成的。

后续将执行一些额外的调试步骤。

此致、
Kevin

0 admin 9 个月前

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大家好、Kevin G ü、

我们目前正在与三星工程师合作解决这一问题。他们希望在出现异常时获得所有 MR 寄存器的值。如何获取所有 MR 寄存器的值？

此致。

0 admin 9 个月前

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Unknown 说：
如何获得所有 MR 寄存器的值？

与其他 TDA4器件相比、TDA4VEN 使用不同的 DDR 控制器、因此我没有在 TDA4VEN 上使用下面的驱动器功能的直接经验。但是、函数(LPDDR4_getmmrregister)是共享驱动程序函数、下面的过程应该会起作用。

您能不能评论一下下面的评论、如果您有任何问题、请告诉我们？

~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~μ A

下面是有关如何使用现有的示例 LPDDR4_getmrregister 读取 LPDDR4模式寄存器的驱动器功能：

请参阅驱动程序函数( L pddr4_getmmrregister)此处： https://git.ti.com/cgit/ti-u-boot/ti-u-boot/tree/drivers/ram/k3-ddrss/lpddr4.c?h=10.01.10#n289

即驱动程序函数输入参数、 readmoderegval对应于 DDRSS_CTL_191[24：8](适用于 J722S 器件) . (请注意、对于不属于 j722s 系列的其他 TDA4器件、它将为：DDRSS_CTL_160[24:8]。)

位(7：0)定义了存储器模式寄存器
位(15：8)定义芯片选择。
位(16)触发读取

请参阅下面的示例、其中 readModeRegVal 变量设置为 0x10000 |((RANK 和1)<< 8)|(MR 和0xFF)、 其中"rank"是相关的芯片选择、"mr"是相关的模式寄存器编号。

~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~μ A

注释：虽然示例/驱动程序代码看起来可能更复杂、但读取 LPDDR4模式寄存器基本上就像：

写入 1个 DDR 控制器寄存器
等待 MRR 完成
读取2个 DDR 控制器寄存器

除了已经初始化 DDRSS 和 LPDDR4存储器之外、不需要其他特殊设置。

此致、
Kevin

0 admin 9 个月前

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尊敬的 Kevin：

jiangtao xie 说：
请参见以下示例、其中 readModeRegVal 变量设置为 0x10000 |((RANK 和1)<< 8)|(MR 和0xFF)、 其中"rank"是相关的芯片选择、"mr"是相关的模式寄存器编号。 [报价]
我认为我不清楚这里的"排名"和"先生"的价值观。您能给我一个示例、用"rank"和"mr"作为参考吗？

此致。

0 admin 9 个月前

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Unknown 说：
我不清楚这里的"rank"和"mr"值。您能给我一个示例、上面有"rank"和"mr"供参考吗？

"排名"

您的存储器可以是单列或双列。
如果您的存储器是单列的、则在此代码片段中、"rank"应始终为"0"
如果您的存储器是双等级、则在此代码片段中、"rank"将为"0"或"1"

"先生"

将此值设置为要读取的模式寄存器的模式寄存器编号
示例：如果要从 MR5中读取 LPDDR4制造商 ID 代码、则设置为"5"

Kevin

0 admin 9 个月前

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尊敬的 Kevin：

感谢您的答复。

根据您提供的方法、我认为我应该已经获得所有 MR 寄存器的值、但我无法确定这些值的具体含义或数据是否有效。请参阅下表以了解寄存器结果。我还将向三星工程师提供相同数据的副本。如果将来有三星工程师的反馈、我会尽快更新。

e2e.ti.com/.../samsung_5F00_ddr_5F00_datarate_5F00_800MHZ_5F00_MR_5F00_values.txt

此致。

0 admin 9 个月前

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您好！

某些模式寄存器是"只写"的、意味着不能读取它们。

不过、我不确定为什么所有通道 B 值都显示0x00。

此致、
Kevin

0 admin 9 个月前

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尊敬的 Kevin：

我可以问一下通道 A 和通道 B 的值是什么意思吗？您能否检查我的修改是否正确。

e2e.ti.com/.../Get_5F00_DDR_5F00_MR_5F00_Value.txt

此致。

0 admin 9 个月前

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Unknown 说：
可否询问通道 A 和通道 B 的值是什么意思？

如果您询问"通道 A"和"通道 B"是什么意思、则 LPDDR4存储器由16位 DQ 通道组成、每个通道都有自己的模式寄存器集。 TDA4VEN 具有一条32位 DQ 数据总线、因此它最多支持2个通道、分别称为"通道 A"和"通道 B"。

如果您想了解每个 MR 的值是什么意思(例如：0x98)、请参阅 LPDDR4存储器的数据表。

此致、
Kevin

0 admin 8 个月前

TI__Guru**** 2457760 points

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您好！

您能否提供用于1600MT/s (800 MHz 时钟)和3733MT/s ( 1866 MHz 时钟)的最新寄存器设置？如果您可以提供 DTSI 文件+ SysConfig 文件(settings_info.syscfg)、那就太好了。

此致、
Kevin

处理器（参考译文帖）

处理器（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] TDA4VEN-Q1：LPDDR4调整失败