[参考译文] TMCS1123：建议的回流焊布局

Shinichi,

是的、这是可以实现的、但我们建议这些器件具有尽可能宽的返回范围、尤其是在 EMI 很重的环境中。 这是因为较小的接地回路布线将导致 GND 布线上产生额外的电感、从而可能导致接地反弹问题。  

Shinichi,  

在问题 1 上、布线显然不需要像 EVM 那样宽（这样做是为了提供足够的铜量来实现真正的器件性能）、但左图中所示的角度是优化进入器件的角度。 此器件配备了 40dB 的环境磁场抑制、但最佳实践仍是尽可能地减少器件周围的环境磁场、这包括器件的接近角度。 根据经验发现、EVM 的 30 度切口是执行此操作的理想路径、因此如果可能、建议在客户布局中使用这些切口。  

对于问题 2、是的、此处的最佳实践是避免器件下方出现任何信号。  出于最佳实践原因、通常会再次这样做、即靠近芯片放置可能会增加误差（由 AFR 缓解）的信号路径。 但请注意、这通常也是高压/低压隔离栅区域的位置、因此放置在该区域的任何信号都必须符合客户所需的爬电距离和间隙要求。  

Shinichi,  

很难客观地回答这一问题、因为每个客户对爬电距离和电气间隙的要求都不同。 如果他们认为将这些元件放置在器件下方不会违反这些隔离要求、则从技术上讲、他们可以做到、 但最佳做法是使器件下方的区域保持裸。