[参考译文] LM94022：输出 SAR

尊敬的 GI -  

您是否使用过近场或电容式探针来确定线路上感应的噪声频率？ 也许最好在这里提供原理图和布局、正如您已经注意到的、它不是噪声较大的传感器(因为您的另一个传感器工作正常) 但是、噪声位于该传感器输出的线路上、这反过来可能会影响您的 ADC 测量。 如果您知道噪声的频率、则可以计算可能需要的 RC 低通滤波器值。  

Josh、您好！

[引用 USER="Josh Wyatt ]]如果您知道噪声的频率、则可以计算可能需要的 RC 低通滤波器值。  [/报价]

已确定20Khz 占空比会泄入 VDD。 为什么这个传感器上的电源噪声根据图9确定了1.67mA 灌电流/拉电流接地的负载调节值+/-1mV CLoad 是 LCload？ 再次检查两个输出上的下拉电阻为2k、以均衡过采样的环境读数。 任何值的去耦电容器都会使读数在两个传感器上漫游得更糟。

也许连接到 VDD 的铁氧体或电阻有助于更好地隔离它。 我正在寻找任何电子原因、为什么下拉电阻似乎会将20Khz 噪声抛在地面上、以及如何证明它的正确性。

为什么添加到输出端的外部负载电阻器会降低两个传感器上的电压漫游、但添加的电容器去耦会使漫游更糟糕？  

数据表中似乎也有奇怪的 EC 显示 LC=1100pF 负载典型值。 然后、图14显示<1100pF、无需串联 R、如果 Lc=1100pF 典型值、这是怎么可能的？   

尊敬的 GI -

一般意见或建议是使用低通滤波器(串联 R 和分流 C)来满足滤波器需求、而不是看您创建的内容。 例如、为了不对 ADC 采样电容器进行过功率且在20kHz 左右具有-3dB 截止频率、您可以串联使用10k 和820pF 分流电容器或11k 和720pF。  

尊敬的 GL：

是否已尝试更换有问题的设备？ 如果它以前未损坏、则很可能会损坏、因为您已超过其额定输出电压30倍。  

谢谢、

任

[引用 user="Ren Schackmann">您是否尝试更换有问题的设备？ i[/报价]

绝对最大+/-7mA 输出、因此2k 负载(1.6mA)没有超过任何额定值。 50µA μ A 拉电流/灌电流是从输出直接耦合到另一个器件的预期最小负载电流。

该传感器是从美国国家半导体公司收购的、在启动后、输出电容 CL 通常为1100pF、这似乎是一个奇怪的说法。 此类电容会使 ADC 采样保持失真、并且不需要添加更多电容。 如果根据设计输出已经为1100pF、则图14不能小于1100pF。  因此、如果 CL<1100F、则默认情况下不需要串联 R、这是没有意义的。

同样、图14会使电气特性 CL=1100pF 失真、因此我们可以在不使用串联 R 的情况下增加更多电容、因为首先是 Lc<1100pF。 看似图14显示、在1.9ms 启动周期内、输出负载 CL 不大于1100pF。  CL= 0pF 至1100pF 不能很好地说明这一点、静态 LC 可能会在峰值负载电流稳定后降低。 我们不想因任何原因在输出端增加更多电容。

除了建议在1.9ms 启动周期后输出确实小于1100pF 之外、为什么图14甚至还存在？  

更好的问题是、在1.9ms 启动后、稳定输出 LC 和阻抗是多少？ 这个问题很重要、因为 VDD 噪声抑制和缓解技术数据表甚至没有考虑。 输出摆幅阻抗通过向接地端添加灌电流/拉电流负载电阻实现稳定这一简单事实似乎确认了 VDD 噪声进入 LM 内部电源轨。 更有趣的是、除非源阻抗已经很高、否则不需要更大的采样保持时间。

Josh、您好！

当存在20Khz 时、VDD 轨的 PSRR 问题似乎与3V3 LDO 的输入噪声相当。 否则、LM 在空闲状态下使用2K 下拉时非常稳定和准确。 然而、很明显、当 VDD (3V3)轨在3V3 DC 上具有20kHz 的频率时、两个 LM 器件输出都被推高至一定程度(-)。  

也许3V3 LDO 稳压器(TPS735) PSRR 68db (在1kHz 噪声抑制下)可轻松更新为其他 TI 器件。 更大的问题是什么是采用 WSON6封装的更好的 PSSR LDO？  

[引用 user="Josh Wyatt "]数据表中的第7.4节未对 C 值为1100pF 的器件提出索赔。

2015年设计 PCB 时、数据表(SNIS140E–2006年5月–2013年6月修订)中没有第7.4节。 电气部分再次显示 CL=1100pF 典型值与图14不符、并且高度扭曲了在何时需要或不需要串联 Rs 时产生的任何逻辑感知。 电气部分 CL=1100pF 注释应指示输出负载电容 LM 添加到连接电路中。 从图14中可以看出、它确实是一个非事实列表、被称为典型的 CL 负载电容。 LM 实际上表现出比1100pF 低得多的 CL、尤其是当 CL=0时、启动周期为1.9ms。

如果没有向输出端添加任何电容、CL=1100pF 如何成为典型的输出负载？  最可能的参数标准的定义是什么？ 对我来说、这意味着生产预期的 LC 值、而不是图14或图15中添加了 LC 的器件的应用  

再次强调的一点是、从器件的角度来看、Cload 绝不能低于1100pF、而是相对于图14或图15而言、这是典型电气部分。  请研究为什么图14建议在 CL < 1100pF 时不需要串联 Rs、并奇怪地显示为典型负载的确切数量。 电气部分不应包含从数据表的应用部分得出的数据、也不应包含与应用部分得出的数据相关的脚注指示符。   

[引用 USER="GL]什么是采用 WSON6封装的更好的 PSSR LDO 是一个更大的问题？  [/报价]

看起来较新的 LDO 3V3稳压器具有100kHz PSRR 和噪声<µV μ V/Hz 不具有相似的 TPS735 WSON6或是具有其他问题的较旧器件。 因此、没有更好或更新型的 TI 器件可改善 LM94022 VDD 输入噪声抑制、从而使 SMD 铁氧体能够实现这一目的。  

TPS735 NR 10nF 电容器<100nF 有一定的摆动空间可能会有所帮助、但我不会屏气。 另一种解决方案是找到更少的 VDD 噪声 LM 温度传感器。 话虽如此、LM94022数据表中的一个问题比答案多。

尊敬的 GI -  

我不知道最后一条评论是什么意思-您不断提出的设计细节实际上与您所连接的 ADC 和您创建的电路板布局更相关。 在得出需要或不需要电阻器的结论之前、需要了解其(ADC)的规格和要求、因为这将让您知道电容负载是多少(在电路板走线之前等)。  

如果您需要、您可以选择发送包含您正在使用的 ADC 的原理图、我们可以查看其内部采样电容器是什么等、并帮助您计算/计算其中发生的情况。 很高兴为您提供帮助。 如果您不想在此处发布、请发送电子邮件至 josh.wyatt@ti.com

我们也会查看电源选项-但实际上、最好不要在这里猜测-原理图将告诉我我我需要从什么开始。 可以在这之后查看布局。   

[引用用户="Josh Wyatt ]1100pF 不是典型负载、它是器件在没有限流/去耦电阻器的情况下可以处理的最大容性负载、这是当前版本文档(修订版 F)第14页的表的目的 自 2005年发布以来、该表和本部分一直包含在数据表中。  [/报价]

这是一种通过 N/PFET 输出结构第5节将 LM 输出电容如何加载电路的奇数方法。 英文词典中的单词 load 表示重量正在被添加到其他内容中、而不表示负载可以或必须具有多大的重量。 即使添加单词 MAX 也不能证明输出 CL 在设计上是错误的。 即使添加了 MAX 一词、任何人都可以如何确定何时需要 RS、如图14所示。 接受的标准是显示器件添加的 CL 以及 CL 使 N/PFET 输出变得不稳定或振荡的程度的基本说明。   

在 电气部分中添加条件字 DRIVE 似乎有助于图14表示未添加 RS 的总 CL。 我的头脑不明白这种想法有什么意义。

第7.4.1节：LM94022/-Q1可以驱动小于或等于1100pF 的容性负载、如图13所示。

感谢这家酒店，我已经有一段时间了！

[引用 user="Josh Wyatt "]如果您需要、您可以选择发送包含您正在使用的 ADC 的原理图、我们可以查看它的内部采样电容器是什么等、并帮助您计算/计算出其中发生的情况

具有20pF 内部充电电容的12位 SAR ADC 嵌入到 MCU 中。 RS 阻抗与随采样率推导出的采样保持时间有关、与每个通道上预期的 Rs 阻抗变化有关、无需添加电阻器。

目前、通道序列发生器1对样本进行64次采样、采样保持0x6提供针对727KSPS 的等效 Rs 串联阻抗(9.5k)。  

下面测试了在最大采样率下可能的每个保持时间、基本上会发生相同的漫游问题。 漫游速度只会减慢，有时错误会超过3°C。 奇怪的是、远离+3V3电源的最远传感器的麻烦要小得多。 相反、PM 是布局区域 PDF、但我们要将 VDD 迹线切割为 LM ADD 中的600zohm 铁氧体。 奇怪的是、TI 工程师在许多 TIDA 双面示例 PCB 中都没有使用铁氧体、而这种情况会怎么样？ 没有它们。

/*增加采样序列发生器的步进采样保持时间。
*@32MHz：nsh (4)=Tshn0x0编码、Rs250允许的阻抗、2.0Msps
*@32MHz：nsh (8)=Tshn0x2编码、Rs500最大值、1.6Msps
*@32MHz：nsh (16)=Tshn0x4编码、Rs3.5k 最大值、1.143Msps
*@32MHz：nsh (32)=Tshn0x6编码、Rs9.5k 最大值、727Ksps
*@32MHz：nsh (64)=Tshn0x8编码、Rs21.5k 最大值、421Ksps
*@32MHz：nsh (128)=Tshn0xA 编码、Rs45.5k 最大值、229Ksps
*@32MHz：nsh (256)=Tshn0xC 编码、Rs93.5k 最大值、119Ksps *

HWREG (ADC1_BASE + ADC_O_SSTSH1)= 0x6666； 

尊敬的 GI -  

之前的好建议将添加到特性表中添加(最大)表示法的请求中。

您使用的 MCU 器件型号是否？  

Josh、您好！

MCU 是一款 Tm4c1294kcpdt。 请注意、较长的采样保持时间会降低采样频率、并相对于预期的 Rs 负载阻抗减慢采集速度。 遗憾的是、我没有在输出端放置任何串联电阻器焊盘、认为根据设计、它具有低阻抗。