Other Parts Discussed in Thread: TMP709
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器件型号：TMP709 在高噪声射频环境中(距离150W 射频功率晶体管1/4英寸)、我将此部件用于2晶体管再生锁存器。 我通常已经消除了噪声问题、但我需要知道 TMP709的加电行为是什么、因为它之后的锁存器可能在0.5V 至5V 范围内处于激活状态。 TMP709电源是一个经稳压的5.1V 齐纳电源、但是取决于一个客户提供的(28V)外部电源、此电源的斜升曲线未知。 我需要验证 TMP709在0V 和2.7V 之间的特性行为(当然未指定)、以查看在上电事件期间锁存器在哪些条件下可能被触发。 在50us 内、闭锁将在/OT 引脚灌入的大约10UA 电流上触发。 电源的启动时间不会超过2ms (RC 时间常数为2.43k/1uf 旁路电容)。
SET 引脚和/OT 引脚均通过1nF NP0进行旁路、以实现射频抑制。 电源旁路为1uf // 5.1V 齐纳二极管。 将 R 44.2k 上拉至5V。
PCB 组件上电源28V 侧的 ESD 抗扰度靠近锁存器、具有 EN61000-4-2 ESD 接触放电参数、除了200ps 上升时间、锁存触发阈值(标准 C)为+/- 10kv、接触放电、与锁存器约1/2英寸。
