主题中讨论的其他器件:LMP91000
大家好、
在用户指南(https://www.ti.com/lit/ug/snau121a/snau121a.pdf)的第2页 中、建议 使用3个 FET 来缩短 RE 和我们的时间。
您能否 通过技术选择 FET? 例如、栅极电流为1nA 等
此致、
Tom
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大家好、
在用户指南(https://www.ti.com/lit/ug/snau121a/snau121a.pdf)的第2页 中、建议 使用3个 FET 来缩短 RE 和我们的时间。
您能否 通过技术选择 FET? 例如、栅极电流为1nA 等
此致、
Tom
尊敬的 Liu -
在此 PCB 上、Q1 (P 通道 FET)采用 SOT-23-3封装、用作开关、栅极被 R12拉高、两者均未组装。
(您指向 LMP91000 EVM 用户指南的同一用户指南的第6页 )
首先要考虑的重要参数是封装、即 SOT23-3、因为这是 PCB 上的封装尺寸。 第2页的表2中的器件是30V 1/4W P 通道 JFET、当它们用作开关时、具有这些特性且库存中的任何通用器件就足够了。
下面是一些我发现的、这些也是可用的并且应该是直接交叉的:
https://www.digikey.com/en/products/detail/onsemi/MMBFJ176/1050155
尊敬的 Tom -
这是一 个 P 通道 JFET MOSFET 开关电路、它将从源极导通至漏极、而不会向栅极施加电压。 (即、如果 Q1是单独安装的、则会连接端子、类似地、在电路板未通电时也会连接端子)在 Q1至 R12的栅极(安装时)上施加电压时 -这将阻止从源极到漏极的电流流动、并允许传感器正常运行。
以下是传感器供应商提供的应用手册、其中讨论了这种需求。
https://www.alphasense.com/wp-content/uploads/2022/10/AAN_105-03_App-Note_V0.pdf
这是该部分的屏幕截图、见第4页。
我提供了 JFET 的上述直接交叉参考链接。 我认为这并不比这更复杂。