This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LMP91000EVM:如何选择 FET 以缩短 RE 和 We

Guru**** 1144270 points
Other Parts Discussed in Thread: LMP91000
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/sensors-group/sensors/f/sensors-forum/1170825/lmp91000evm-how-to-select-the-fet-to-short-re-and-we

器件型号:LMP91000EVM
主题中讨论的其他器件:LMP91000

大家好、

在用户指南(https://www.ti.com/lit/ug/snau121a/snau121a.pdf)的第2页 中、建议 使用3个 FET 来缩短 RE 和我们的时间。

您能否 通过技术选择 FET? 例如、栅极电流为1nA 等

此致、

Tom

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Liu -  

    在此 PCB 上、Q1 (P 通道 FET)采用 SOT-23-3封装、用作开关、栅极被 R12拉高、两者均未组装。   

    (您指向 LMP91000 EVM 用户指南的同一用户指南的第6页 )

    首先要考虑的重要参数是封装、即 SOT23-3、因为这是 PCB 上的封装尺寸。 第2页的表2中的器件是30V 1/4W P 通道 JFET、当它们用作开关时、具有这些特性且库存中的任何通用器件就足够了。  

    下面是一些我发现的、这些也是可用的并且应该是直接交叉的:  

    https://www.digikey.com/en/products/detail/linear-integrated-systems-inc/SST177-SOT-23-3L-ROHS/14312313 

    https://www.digikey.com/en/products/detail/onsemi/MMBFJ176/1050155 

    https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/mmbfj175lt1-d.pdf 

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Josh、您好!

    感谢你的答复。

    为了使 RE 和 WE 短路、P 沟道 MOSFET 需要 从栅极到源极的负电压(VGS)才能导通。  EVM 原理图是如何实现这一点的?

    关于 FET 选择的关键点、我想问的是 诸如栅极泄漏电流和 VDS 等电气规格

    此致、

    Tom

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Tom -  

    这是一 个 P 通道 JFET MOSFET 开关电路、它将从源极导通至漏极、而不会向栅极施加电压。 (即、如果 Q1是单独安装的、则会连接端子、类似地、在电路板未通电时也会连接端子)在 Q1至 R12的栅极(安装时)上施加电压时 -这将阻止从源极到漏极的电流流动、并允许传感器正常运行。

    以下是传感器供应商提供的应用手册、其中讨论了这种需求。  

    https://www.alphasense.com/wp-content/uploads/2022/10/AAN_105-03_App-Note_V0.pdf 

    这是该部分的屏幕截图、见第4页。  

    我提供了 JFET 的上述直接交叉参考链接。 我认为这并不比这更复杂。   

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Josh:

    通常会导致 FET 故障的条件是什么?

    此致、

    Tom

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Tom -  

    在此用例中(作为极低电压的开/关开关)、损坏器件或 PCB 物理的东西可能是 JFET 断开的唯一方式、因为它不像在以频率运行的放大器电路中那样承受应力。 请记住、在该电路中、当电路板未加电时、JFET 打开。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Josh:

    我想对   FET 进行可靠性测试。 如何做到这一点?

    传感器已连接、LMP91000工作状态。 如果在这种情况下重复 FET 的开/关、这是否 是可靠性测试?

    另请 告知开/关时间。

    此致、

    Tom

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Tom -  

    一个简单的测试是安排一个原型电路、此电路具有一个驱动栅极偏置电阻器的脉冲输出电压源。 持续时间/关闭时间可能与您打算让传感器通电/未通电的时间相同、我建议您咨询您的传感器供应商、了解他们是否有其他指导、与上一帖子中的应用手册类似。  

    类似这样的东西(下图)应该可以让您测试此 JFET 开关。   

    或这个

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Josh:

    请提供另一条建议。

    之前、N 沟道 FET (Toshiba SM3K36FS)用于重新短接/开路、但存在许多 FET 故障情况、我们已将其从电路中移除。

     我认为1μA μ A 的大泄漏电流 与建议的 P 沟道不同。 您能不能给出故障原因?

    此致、

    Tom

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Tom -  

    您提到的 FET 是 N 沟道 FET。 该电路需要 P 通道 JFET、因此我认为您的故障是由于使用了不正确的器件造成的。