[参考译文] FDC2212：驱动电流对励磁频率的影响

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https://e2e.ti.com/support/sensors-group/sensors/f/sensors-forum/586741/fdc2212-impact-of-drive-current-on-excitation-frequency

器件型号：FDC2212
主题中讨论的其他器件： FDC2214EVM

在测试 FDC2212在一定电容范围内的精度时、我注意到波形峰值(Vpk)似乎与传感器电容成反比。例如、在146uA 的 I_drive 电流和~60pF 的 c_sensor 下、测得的 Vpk 为1.440V。当 c_sensor 增加到260pF 时、测得的 Vpk 为1.384V。

为了补偿较大的电容值(~300pf)、我尝试通过增大 I_drive 的设置来增大 Vpk。我注意到、对于给定的固定电容值、更改 I_DRIVE 对测量频率 DATA_CH0的影响很大。随附的图显示了给定驱动电流设置下计算出的传感器电容(C_Tank + C_Rive寄生)。

请注意：稳定计数和基准计数被最大化。

所示数据取自建议电路设计的定制 PCB、但我也能够使用 FDC2214EVM 评估套件复制行为。基本上、随着驱动电流的增加、Vpk 增加、激励频率也增加、从而影响计算得出的并联电容。我能够使用示波器确认频率的变化。在明亮的一面、FDC2212测量的频率处于示波器计算值的0.05%范围内。

我的主要问题是：这种行为是否符合预期？即、在修改驱动电流时、是否预计测量励磁的变化？如果没有、我是否可能在器件配置过程中出错？

我的问题是、与增大驱动电流类似、传感器检测到的 Vpk 也会增大、传感器电容增大导致的 Vpk 减小将影响 FDC2212在电容范围内的精度。是否有任何建议有助于消除 Vpk /激励频率值下降的影响？此外、评估套件 GUI 有一个"Detect Idrive Init"按钮、该按钮似乎可以确定适当的 I_drive 值、是否可以共享这是如何实现的？

谢谢！

－弥敦

8 年多前

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2616675 points

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您好 Nathan、

不同的 IDRIVE 设置可能会导致不同的寄生电容。但是、一旦您为系统选择了 IDRIVE 设置、这不应影响您的测量。

此致、
Yibo

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2616675 points

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非常有意义、感谢 Yibo 的快速反应！

－弥敦

0 admin 8 年多前

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您好 Yibo、

我还有几个关于激励特性的问题：

1) 与传感器电容器并联的电阻(100kΩ Ω)影响激励频率、即当并联电阻减小时、频率增大。您能评论一下为什么会发生这种情况吗？

2) 您能否提供单端传感器配置计算示例？在数据表中、唯一的差异似乎是计算传感器频率时乘以2、但在实践中、这似乎会导致错误值。数据表中的示例应用描述了要使用的寄存器设置、但不提供示例计算。

3) 此外、单端示例显示了 clock_divider 寄存器中的字段 CH0_FIN_divider 设置为1、CH0_FREF_divider 设置为2、单端配置是否正确？

4) 在单端应用中、即使传感器电容接地、传感器电容是否与箱电容并联？

5) 是否可以精确测量具有较大动态范围(~100pf 至~300pf)的电容式传感器？

6) 数据表提到"init_drive current field"(第42页)、但我在数据表的其他地方看不到它、这个域是否在其他地方描述？

感谢您的帮助、

－弥敦

传感器（参考译文帖）

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