[参考译文] 珀耳帖热标签操作

您好5019538、

请提供有关您要实现的目标的其他信息。  方框图和/或原理图会有所帮助。 由于珀耳帖模块温度较低、似乎您需要一种设计来驱动它、 可能与您提到的电机驱动器类似、因此我对温度传感器基准感到困惑。  请包含操作珀耳帖标签所需的要求、包括电压和电流要求。

期待着为设计提供帮助。

~Leonard

   

您好、Leonard

我正在尝试在珀耳帖热感应器的两个端子之间进行切换、以控制热侧/冷侧。 由于此应用需要非常精确地控制温度斜坡速率、因此我通过应用微控制器的 PWM 信号对其进行了控制。 这与 我们通过 H 桥控制双向直流电机的概念相同。

从技术上讲、该设计工作正常、但有一点是、当我 根据真值表应用 PWM 信号时、P-ch MOSFET 会在正常工作时开始发热。

这是我设计的障碍、我需要解决这个发热问题、或者需要设计新的东西。

您能为您提供帮助吗？

我在这里附上了一些方框图、因此请查看并提出一些建议。

e2e.ti.com/.../Peltier-contol-H-bridge.docx

此致、

硬件设计工程师

Nanosoft

您好！

 感谢您分享设计和挑战的详细信息、但是您参考的 MOSFET 是 Vishay 和 IR 器件、而不是德州仪器。  因此、我们将无法协助处理此请求；请联系这些供应商。   

 另一方面、如果您考虑使用 TI 组件进行重新设计、请发送所有操作要求/规格、以便我们了解可行性并提供建议。  

此致、  

~Leonard   

您好、user5019538、

如 Leonard 提到的、如果您考虑使用 TI 组件进行重新设计、请考虑使用 DRV8432。
假定 DRV8432符合运行要求、DRV8432具有四个全桥、可配置为在并行模式下连续驱动14A。

有关示例配置、请参阅数据表的图17。

您好！

我注意到您在12V 应用中使用的是600V N 沟道。 这似乎有点过分。

我还注意到您正在尝试使用驱动器来驱动 P 沟道功率 MOSFET、该驱动器设计用于驱动 N 沟道 MOSFET 的半桥。 我怀疑这就是您在高侧的 P 沟道 MOSFET 变热的原因。

我们在 TI 提供许多具有更适合您的应用的电压范围的半桥驱动器。 我们还提供具有更合适电压范围的功率 MOSFET。

http://www.ti.com/gatedrivers
http://www.ti.com/mosfet

除了 Rick 的建议之外、我们还提供了 DRV59x 系列器件、但这些器件的电流对于您的特定应用而言太低。

有许多方法可以驱动您的珀耳帖。 在不详细了解您的系统和限制的情况下、很难推荐最佳的 TI 解决方案。

您好、Rick

我发现您的建议对于在研究 DRV8432的文档后使用 DRV8432重新设计它非常有帮助。
我需要 DRV8432的样片、以便进行进一步的进展和开发。 我如何获得这些信息、如果可能、您能否提出建议？

此致、
硬件设计工程师
Nanosoft

您好、user5019538、

有关样片、请参阅 链接

我建议您考虑获取 DRV8432EVM (如果需要，请单击 此处查看 EVM 链接 )

此 EVM 可让您快速评估器件。