This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] IWR6432BOOST:至于 IWR6432 EVM REV A->B、是否有任何性能结果要与我们分享?

Guru**** 2558250 points
Other Parts Discussed in Thread: IWRL6432

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/sensors-group/sensors/f/sensors-forum/1186915/iwrl6432boost-as-for-iwrl6432-evm-rev-a--b-is-there-any-performance-result-to-share-with-us

器件型号:IWR6432BOOST
主题中讨论的其他器件:IWRL6432

尊敬的 TI 专家:

我们有2个 IWR6432 EVM、其中一个是 PROC117 REV。 A (正面有晶振)在 TI.com 上购买、另一个是 PROC117 REV。 B (底部有晶振)由 TI BU 提供。  我们注意 到 TX1 FoV 受到晶体振荡器金属外壳的影响、请参阅 AWRL6432入侵检测测试 -幻灯片8。 至于 IWRL6432 EVM REV A->B、 是否有任何性能结果要与我们分享?  期待您的回复。  谢谢你。

谢谢、

安图

  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Ann Tu:

      是的、我们注意到顶部的晶体显示了 Rx3和 Rx2的更高直流组件、如下所示  

    在电路板底部使用晶体时、我们看到 Rx3上的直流分量提高到10dB、Rx2上的直流分量提高到5dB、如下所示。  

    谢谢、此致、

    CHETHAN Kumar Y.B.

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、先生、

    1.我们是否应该使用 IWR6432 OOB F/W 来检查此测试?

    2.您能否与我们分享您的 CFG 文件?

    非常感谢。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

      当前的 OOB 固件演示了主要或次要运动检测场景。   

    此测试在 mmWave Studio 上完成。  

    https://www.ti.com/tool/MMWAVE-STUDIO

    这些测试需要在清洁的环境(例如消声室)中完成、否则您会看到干扰测量的杂波。  

    谢谢、此致、

    CHETHAN Kumar Y.B.

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、先生、

        您能否共享 PROC117 REV 的 xWR6432辐射模式。 B (底部有晶振)用于参考?

        感谢您的支持。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

       请在以下链接中查找方位角和仰角方向的天线辐射图。

    https://dev.ti.com/tirex/explore/node?node=A__ALBkbookutHX0CI-XEQ1mw__radar_toolbox__1AslXXD__LATEST&placeholder=true

    谢谢、此致、

    CHETHAN Kumar Y.B.