[参考译文] IWR6843AOPEVM：IWR6843

你好、Chuck、

  您是指封装天线设计还是非封装天线设计。  您选择的器件型号为 AOPEVM、但下面的一些问题似乎是围绕非 AOP 设计悬停的。  

请在下面查找我的意见。

1. TI 开发板的原始 PCB 是6层，当我将其修改为4层 PCB (厚度为1.0mm)时，是否有任何我需要注意的关键问题？

[Chebo] AOP 的6层电路板有几个注意事项。

a)外形尺寸、AoP EVM 在设计时考虑了非常小的外形尺寸、从而限制了布线、从而减轻了布线限制、使用了额外的层。

b)热约束、小尺寸增加了散热方面的挑战、额外的电源层和接地层将有助于减轻散热问题。 建议使用更厚的铜2oz、尤其是内层  

c)信号和电源完整性：设计具有高速线路、使用额外的层可满足50Ohm 单端/ 100ohm 差分阻抗。

d)对于更薄的电路板(1.0mm)、需要考虑翘曲。  

对于非 AoP 设计、在不影响上述性能的情况下完成4层设计将极具挑战性、因为射频需要顶层(天线、传输线等)

2.正如我看到的原始设计、它上面有很多0欧姆电阻器、尤其是在功率部分、它只是我无法消除的吗？

[Chedh]如果您有任何疑虑、请告知我们。 您可以优化其中的一些功能。 为硬件调试设计提供了一些灵活性。 但是、"电源"部分提供了铁氧体磁珠、这些磁珠用于抑制 PMIC 产生的纹波、无法将其移除。  

3.天线上的过孔仅通过顶层和 L2层的连接、我刚刚修改为从顶层到底层的全孔连接、这是否毫无疑问？ 因为它会降低 PCB 价格的成本？

[Chedance]不建议仔细选择这些微孔以获得最佳射频性能(S11匹配、隔离、共平面波导阻抗要求等)

4.固件可以通过 JLINK 连接进行更新，也可以通过 SPI 或 I2C 进行更新吗？ 它可以通过 I2C 总线连接的闪存来实现吗？ 如果是、当固件存储在此闪存中时、如何激活更新的此固件？  复位后由 GPIO 拉高 H/L 请提供建议。

从标准工具的角度来看、尚不支持[Chehun] JLINK 固件更新通过 Uniflash 实用程序完成。 要刷写传感器、需要将器件置于闪存编程引导模式(有关更多详细信息、请参阅 EVM 用户指南)、毫米波传感器具有引导 ROM、预计通过 uniflash 接口映像的闪存映像会存储到外部 QSPI 闪存器件中。  

谢谢、此致、

CHETHAN Kumar Y.B.