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您好 TI
Zigang 说、 如下所示。
<e2e.ti.com/.../4488602
"对于交付给客户的器件、 EFUSE 中会微调 ATE 校准、客户不需要刷写 ATE 校准二进制文件"。
请告知我们有关此主题的更多详细信息。 客户也希望避免对每个定制板执行额外的 ATE 校准任务。
当您在空闪存上对"开箱即用演示"映像进行编程时、请包含 ATE 校准数据、并详细说明用户如何不必单独执行 ATE 校准。
我想问一下这个问题、因为大规模生产产品时、无法在所有电路板上执行 ATE 校准。
客户希望删除工厂大规模生产线中的 ATE 校准步骤。 我的意思是、在对 ATE 校准数据的应用二进制文件进行编程时、需要将其存储在特定区域。
谢谢。
此致、
插孔
您好、Jack、
ATE 校准由 TI 在电路板制造中完成。 客户不必在 IWRL6432上执行该操作。 在之前的早期产品发布中、某些器件需要校准、但情况不再是这样。
此致!
纳特
你好、Nathan。
我知道、自 MMWave_L_SDK_05_02_00_02起、它已更改为不由器件执行 ATE 校准。
我要对此进行询问。
该版本中包含的源仍引用 ATE 校准数据。
例如、mmw_demo/motion_and_presense_detection。
在调用 MmwDemo_calibInit ()时,似乎 MOTION_DETECT.c 正在尝试从闪存导入校准数据。
未能从闪存检索数据将导致置位。
如果它从闪存中读取、我们了解到应用开发人员、而不是 TI、应该逐器件执行 ATE 校准。 我想知道它是否融合在了 IWRL6432中。
请告诉我如何不根据 MOTION_AND_PRESSENSE_DETECTION 执行 ATE 校准。
如果我们需要执行 ATE 校准、请回答从 eFUSED ROM 区域读取是否正确。
因此、客户无需更多地考虑他们的定制项目上的 ATE 校准过程。 对吧?
请说明客户使用新的 IWRL6432 IC 和空闪存组装其定制板的情况。
谢谢。
此致、
插孔
您好、Jack、
默认情况下、TI 应将 ATE 校准数据刻录到存储器中。 客户可能需要 逐器件修改 compRangeBiasAndRxChanPhase、但不需要修改 ATE 校准。
此致!
纳特
你好,纳特
感谢您的友好回答。
BTW、客户仍发现 L6432BOOT EVM 套件出现故障。
请参阅下面的故障日志。
Please load and rerun ATE Calirbation application! sensorStart 0 0 0 0 Error: mmWave Control Initialization failed [Error code -205787070] [errorLevel 2] [mmWaveErrorCode -3141] [subsysErrorCode 15376] Error: Boot Calibration failure Error: mmWave factory calibration failed Error: mmWave Open failed [Error code: -3121 Subsystem: 0] Error -1
由于 EVM 中连接了预启动器件、此问题也会重现。 相关问题来自下面。
AWRL6432:需要 API 或接口进行 ATE 校准。 -传感器论坛-传感器- TI E2E 支持论坛
您能否让我们知道如何在最新的 SDK 5.2上的闪存完全擦除后避免该置位故障、因为它看起来仍在尝试访问闪存中存储的 ATE CAL 值?
在 L6432的 RTM 版本中、ATE 校准值是否在传感器内部 ROM 中编程并发货? 我被要求再次确认客户不需要在外部闪存上单独对其编程。 请回答我。
此致、
插孔
您好、Jack、
NATE 已经发布到今天、但据我所知、RTM L6432器件将把 ATE 校准值刻录到器件中。
适用于需要从预发布设备进行 ATE 校准的客户。 它们需要将 MMWAVE_L_SDK_05_02_00_02\tools\ATE_Calibration\xwrL64xx 中的 ATE 校准二进制文件刷新(在刷写模式下)、然后将其切换到功能模式几秒钟。 之后、器件应具有校准值并且可以重置、返回到刷写模式、然后刷写所需的任何二进制文件。
此致、
时间