[参考译文] DRV5013-Q1：绝对最大额定值

Shoji-San、

与 TMR 或 GMR 传感器不同、霍尔效应元件不会因输入磁场较大而损坏。  DRV5013的阈值被设置为使输入字段必须超过 BOP 或 BRP 才能触发状态变化。  当施加外部磁场时、我们可以使用以下公式预测霍尔元件两端的电压：

Vh =(I * B)/(n * e * d)

其中：

I =施加的电流

b =施加的外部磁场

N =电荷载流密度

e =电子电荷(1.602e-19)

D =传感器厚度

现在、我想您要引起的问题是、当我们的正常输入磁场从10mT 增大1000倍到10T 左右时、霍尔电压会发生什么情况。  首先、材料的行为方式存在一些限制、它会 在很大的磁场中饱和、以至于我们将不再看到电压增加。  其次、内部偏置必须提供能量以在材料上产生这样的电压差、并且内部电路将无法产生任何会在这些极端情况下造成损坏的东西。    在这种情况下、我们应该看到的是电压钳制到器件的内部调节和偏置。

谢谢。

斯科特

Shoji-San、

正确、即使在极端磁场下、我们也不会预测传感器会受到任何损坏。

 ΔT Δ V/Δ T、您 Δt 的是温度变化多快而不会对器件造成损坏？  

谢谢。

斯科特