[参考译文] DRV401：DRV401芯片在受到150A 100us 电流冲击时是否会出现电偏移？ 偏移量是多少？

您好 Jaiwei：

这在很大程度上取决于使用的磁性元件、因为偏移将来自补偿磁芯的饱和。 磁芯材料的柔软度、磁导率、机械设计和补偿线圈匝数都会影响这一点。

如果内核补偿绕组和初级的变压器效应具有良好的频率响应、则这是限制因素、因为补偿驱动器允许电流流动。  

限制可能来自用于测量不允许电流流动的电流的 Rs。  此外、根据补偿线圈的 Rs 和匝数、电流可能会受到限制。   

请回想一下、补偿电流将受到连接到电源电压的 H 桥驱动器上的电压的限制。  如高于线圈的电阻+ Rs 会限制电流。   

此致、

哈维尔

您好 Jaiwei：

DRV401的电偏移不受影响、因为它没有磁性组件。  探头的偏移可能会受到影响。 这通常受到的影响较小、因为探针在两种饱和极性下都会不断激励。  这将取决于探头上使用的材料。

我提到了频率、因为如果补偿电流受限、会导致磁芯饱和、这将影响过流情况。   

通过在控制内核(A)和探针(A)中测试一个 DRV401、可以轻松地测试和确认这一点。  会将其移至另一个磁芯(B)和探头(B)并使磁芯(B)和探头(B)饱和并确认偏移。  然后返回磁芯(A)和探头(A)并确认重复原始控制值。

请记住、电容器和电阻器等元件并非始终为非磁性、也可以被磁化。  与您的探头或磁芯的接近可能会改变事情。  还要知道对系统进行去磁后的条件是什么。

此致、

哈维尔