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[参考译文] DRV401:DRV401芯片在受到150A 100us 电流冲击时是否会出现电偏移? 偏移量是多少?

Guru**** 1456440 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV401
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https://e2e.ti.com/support/sensors-group/sensors/f/sensors-forum/1361657/drv401-will-the-drv401-chip-experience-electrical-offset-when-subject-to-a-150a-100us-current-shock-and-what-is-the-offset-amount

器件型号:DRV401

大家好、

DRV401芯片在受到150A 100us 电流冲击时是否会出现电气失调? 偏移量是多少?

谢谢!

加为

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    您好、Jiawei、  

    我将对此进行研究、并将在明天(5/15)向您提供最新信息。

    感谢您的耐心等待、  

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    你好、Joe。

    您能否尽快提供反馈、BYD 正在推动该过程。

    Br

    加为

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    您好 Jaiwei:

    这在很大程度上取决于使用的磁性元件、因为偏移将来自补偿磁芯的饱和。 磁芯材料的柔软度、磁导率、机械设计和补偿线圈匝数都会影响这一点。

    如果内核补偿绕组和初级的变压器效应具有良好的频率响应、则这是限制因素、因为补偿驱动器允许电流流动。  

    限制可能来自用于测量不允许电流流动的电流的 Rs。  此外、根据补偿线圈的 Rs 和匝数、电流可能会受到限制。   

    请回想一下、补偿电流将受到连接到电源电压的 H 桥驱动器上的电压的限制。  如高于线圈的电阻+ Rs 会限制电流。   

    此致、

    哈维尔

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    Javier、您好!

    感谢您的答复。 您能在下面的问题上提供帮助吗? 谢谢!

    上面没有提到过、大的冲击电流超过该范围后、无论芯片的零点电偏移是否受到影响、电流都会被移除。 请帮忙再次咨询、在大电流超过该范围后、该电流会被移除。 除了磁芯的零点偏移外、芯片的零点电偏移是否也会有小范围的漂移?

    Br

    加为

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    您好 Jaiwei:

    DRV401的电偏移不受影响、因为它没有磁性组件。  探头的偏移可能会受到影响。 这通常受到的影响较小、因为探针在两种饱和极性下都会不断激励。  这将取决于探头上使用的材料。

    我提到了频率、因为如果补偿电流受限、会导致磁芯饱和、这将影响过流情况。   

    通过在控制内核(A)和探针(A)中测试一个 DRV401、可以轻松地测试和确认这一点。  会将其移至另一个磁芯(B)和探头(B)并使磁芯(B)和探头(B)饱和并确认偏移。  然后返回磁芯(A)和探头(A)并确认重复原始控制值。

    请记住、电容器和电阻器等元件并非始终为非磁性、也可以被磁化。  与您的探头或磁芯的接近可能会改变事情。  还要知道对系统进行去磁后的条件是什么。

    此致、

    哈维尔