[参考译文] TIDA-050023：RCD 缓冲器设计

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1506135/tida-050023-rcd-snubber-design

工具/软件：

您好：  

我们 创建了一个 PoE++原型、该原型应 处理 大约 12V @ 4A  的输出、这与 TIDA-050023参考设计类似。  

对于初级 RCD-Snubber、我们使用 TIDA-050023提供的值、但我们想知道 用于 RCD-Resistor 的39kΩ。 当我们使用 TIDA-050023给出的值和 应用手册 AN4147给出的公式计算 RCD-Snubber 的功率损耗时、 可以得到：

• RCD-Voltage：~360V
• RCD 损耗：~3.4W。

这些值似乎过高、因为参考设计中给出的初级 MOSFET 和 RCD 电阻器只能处理150V 和0.25W (从效率的角度来看、忽略了、3.4W 损耗似乎很高)

我们 尝试更正确地计算 RCD 电阻器、以获得 MOSFET 的 RCD 电压配件、但计算出的 RCD 损耗增加至约4.8W。

 使用 TIDA-050023的给定参数、理论上似乎无法实现 RCD 电路。

TIDA-050023的 RCD 电路如何 在不影响 MOSFET 和 RCD 电阻器的情况下工作？

使用 AN4147给出的公式时、是否遗漏了一些信息？

下面你可以找到我们的计算,使它更清楚。

e2e.ti.com/.../calculations.pdf

FYI：我们的设计使用以下主要部件：

• 稳压器： LM5020-1 (@300kHz)

• 初级 MOSFET：BSC093N15NS5ATMA1

• 变压器： PA1736NL

• 次级 MOSFET：BSC027N04LSGATMA1

• 同步整流器： UCC24610

此致

Janis