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[参考译文] TIDA-00173：一些问题

admin
Guru**** 2330830 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1518823/tida-00173-some-questions

器件型号：TIDA-00173

工具/软件：

您好的团队、

我对此参考设计有一些问题。

  1. C1-C4部件的耐受电压为440Vac、输入690VAC 是否有问题？
    另外、C4的作用是什么？
  2. 二极管电桥中的二极管(D1-D12)耐受电压较大、是否需要这一耐受电压？
    我认为可以为每条线路使用一个二极管、或者将耐受电压降低一半、但这是正确的吗？
  3. 请解释在"5.2.1输入二极管桥"中假设功率因数 cosθ 为0.6的原因。
  4. 我想知道如何计算120uF (C11)、从而平滑由"5.2.5VDD 电容器选择(CDD)"绕组产生的电压。

此致、
Ryu。

  • 0
    TI__Guru**** 2330830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Ryu、

    感谢您的提问。

    1.我同意您的意见, 如果输入相电压为690Vac 线对线,我们将需要将这些 Y1电容器更改为额定电压更高的器件,如500Vac。

    2.如果 Vdc 总线电压超过1000V,例如690VAC*1.414*115%=1122V,则需要两个串联二极管。

    3.在这种应用中,辅助电源通常在轻载条件下工作,因此这里的功率因数假定为0.6。

    4.通常此 C11不需要像 C10那样的严格计算。 通常情况下、两次或两次以上 C10都可以正常使用。

    此致、

    Jerome Shan

  • 0
    TI__Guru**** 2330830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨、Jerome、

    感谢您的答复。
    您能给我介绍一下 C4吗？

    请添加更多信息。

    请添加更多信息。
    请解释为什么"5.2.6Current Sensing"中的公式(14)会产生4.44k Ω、但实际设计(已实现)是1.0k Ω。
    在该参考设计中、我选择了 ST 的 STF2N95K5、但规格表规定它是100%雪崩测试。
    在选择其他 MOS 时、我们是否需要进行雪崩测试？

    此致、
    Ryu。

  • 0
    TI__Guru**** 2330830 points
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    您好、Ryu、

    1. C4用于为 PGND 上的高频噪声提供通向 PE 的直通路径。 PGND 和 PE 之间的静态电压应为 Vdc (bus)电压的一半。 如果 Vdc (bus)电压超过800Vdc、我们可能需要串联使用两个此类电容器以提高额定电压。 按照电容器提供程序的说明进行操作：[https://product.tdk.com/system/files/dam/doc/product/capacitor/ceramic/lead-disc/specification/leaddiscspec_commercial_cd_en.pdf]

    2.对于 RLC 自食,在方程式上面有一个注释,它 解释了1kΩ 的原因:

    3、虽然"雪崩测试"不是一个必须的项目,但它确实意味着该设备更强,因此 会更 受欢迎,如果可能的话。

    此致、

    Jerome Shan