主题: MSP430F5132 中讨论的其他器件
工具/软件:
您好、
我已经使用轻量级直流电源对 TIDA-010042 进行了测试。 其最大电流为 30A。当我以 20A 的 CC 限制打开充电控制器时、TD1 相的高侧和低侧 FET 立即与栅极电阻器一起损坏。 之前、当我使用固定占空比进行测试时、没有问题。 但当 mpt 运行时、FET 立即损坏。 原因可能是什么。 是由于直流电源上的 mpt 造成的?
此致、
Cyril
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工具/软件:
您好、
我已经使用轻量级直流电源对 TIDA-010042 进行了测试。 其最大电流为 30A。当我以 20A 的 CC 限制打开充电控制器时、TD1 相的高侧和低侧 FET 立即与栅极电阻器一起损坏。 之前、当我使用固定占空比进行测试时、没有问题。 但当 mpt 运行时、FET 立即损坏。 原因可能是什么。 是由于直流电源上的 mpt 造成的?
此致、
Cyril
尊敬的 Bowen:
我使用的是 bsc093n15ns5atma1-Infineon MOSFET。
在检测到 3A 电流 0.2ms 后、第二个阶段将开始。 我正尝试从输入直流电源而非太阳能实现常规电池充电器。我省略了 mpt。
基于 TIDA-010042 设计实现它是否存在任何问题。 使用稳压电源时是否存在任何响应时间之类的限制。 在我的设计中、每 0.2ms 获取一次 ADC 读数。0.2ms 的响应时间是否良好或不良。
此致、
Cyril
您好 Bowen、
我使用的是轻量级电源 CSP-300-120。 这样、我可以一次设置电压或电流。 因此、将电压设置为 90V。 电源的最大电流为 30A。
在我的代码中、我从最小值开始占空 比、并限制占空比的最高阈值。 我逐渐增加了上限阈值、且最大充电电流为 18A。 在对微控制器进行编程以增加上限阈值后的某个时刻、充电器无法充电、当我检查电路时、我看到半桥驱动器的低侧部分显示低阻抗即、VCC 到 COM 和 VCC 到 LO(驱动器内部的 MOSFET 显示 200 Ω 的阻抗)。请参阅所连接驱动器 IRS21867STRPBF 的功能方框图。
此外、 降压的 SW 节点和驱动器 Vs 之间的 2.21 Ω 电阻器(2.21 Ω)显示为高阻抗。
当我检查高侧和低侧开关的栅源极时、从电路中将其移除、显示开路(FET 的漏源极不短路、FET 的体二极管正常)。

此致、
Cyril
尊敬的 Bowen:
自举电容器不会损坏。 仅驱动器内部的驱动器 FET 损坏。
对于此通过直流电源为电池充电设计的 MSP430f5132、您是否有任何建议? 由于我们使用 182kHz 的开关频率、仅在 0.2ms(即大约 36 个 PWM 周期)之后才响应变化、其反应时间非常慢。
182kHz 开关频率的最短响应时间(控制环路时序)应该是多少。 我在这个领域的经验较少,这就是为什么我要问.
此致、
Cyril