请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：TIDA-050063工具/软件：
您好：
我正在使用此参考设计来设计预充电电路。 我使用该计算器来选择元件、并具有以下原理图：
在我的应用中、电池的最大电压为 125Vdc。 我还附上了我用于参考的计算表。
e2e.ti.com/.../ACTIVE_2D00_PRECHARGE_2D00_CALC_5F00_14_2D00_0_2D00_0.xlsx
我制造了一个 PCB、并在 80VDC 下进行了一些初始测试。
构建了两个新电路板并开始在 80VDC 输入电压下进行测试。 使用 2mF 电容器作为负载。
在开关节点上观察到明显的振铃。
输入电压为 80V 时、FET 漏极处的峰值电压为~180V。 所选 FET 的额定值为 150V。
预充电时间为~45ms。 太好了。
通道 1：在 J5-J2 之间测量的 2mF 电容器两端的电压。
通道 2：在 J1- J2 之间测量的 HV 输入。
通道 1：FET 两端的 VDS（80V 输入）
。
这是预期行为吗？ 是否应该选择不同的 MOSFET 和二极管（额定电压更高）。 另外、我想知道在发生短路事件时、IC 的预期行为是什么。 数据表并未讨论这一点。
