Other Parts Discussed in Thread: TXS02612
部件号: TXS02612
尊敬的团队:
我们在仿真中使用 TXS02612RTWR IBIS 模型。 从 B‑端口到 SD‑卡连接器运行仿真时、我们遇到加载问题。 您能否就此提供您的意见/建议并帮助检查问题?
此致、
Poosanalakshmi G
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您好、Jack、
对于 TXS02612RTWR、我们使用 txs02612.ibs 模型文件。 在端口 B 波形中、紫色迹线对应于时钟信号、并正确地达到 输出端预期的 3.3V VOH / VOL 电平。 不过、CMD 和 DAT0-DAT3 输出信号不会达到所需的 DAT0/DAT3 VOH 电平、如其他彩色布线所 VOL 示。“
可能的根本原因:
1.缓冲器或电平‑转换器输出的驱动强度不足
‑信号负载问题,如长布线、残桩、测试点或多个风扇输出造成的电容过大
3.电平‑换档器特性(例如,TXS‑系列器件不适合高‑驱动推送‑拉 CMD/DAT 线路负载)
4.由于内部架构或负载原因、转接驱动器/转换器输出不符合 SDIO/SD 规格
此致、
Poosanalakshmi G
您好、
感谢您澄清了波形。 与 CMD/DATx 通道相比、这些 CLK 通道上的架构包含不同的架构、因此不同的通道上具有不同的 SI。 由于这些通道上支持双向数据、因此使用了基于 FET 的架构+单稳态、并应注意保持低输出容性负载以确保单稳态正常运行。 因此、建议 使用较短的布线长度/容性负载进行重新仿真。 此外、请确保运行数据速率在器件的范围内:


请参阅应用手册: https://www.ti.com/lit/an/scea131/scea131.pdf?、ts = 171077440666 、了解更多详细信息。
此致、
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