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https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1062746/tida-00917-add-0-22uf-between-gate-and-emitter-of-each-igbt
您好、TI 支持
您能否解释一下在每个 IGBT 的栅极和发射极之间添加一个0.22uF 电容器的好处？
如下所示。
这将增加驱动功率损耗、并减缓导通和关断转换。
请给我一些关于这方面的见解。
非常感谢。
是的
您好、YZ、
在 IGBT 模块的数据表中、我们可以找到 IGBT 的典型输入电容 为28nF。 通常、对于电源开关 IGBT、该值会根据结温、集电极电流等工作条件而变化、然后从我们的设置中生成实际的工作点。 当我们将220nF 电容器与其并联时、该变化可能比220nF 小得多、并使工作点在计算出的设定点更稳定。
此致、
Jerome Shan
谢谢！
