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https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/971326/tida-00901-mosfet-selection
您好！
在 TIDA-00901设计参考中、我对反向电池保护的 MOSFET 选择有疑问。 为20A 应用选择了 Vishay SQJ422EP-T1-GE3。 在正常运行期间(无反向电压)、MOSFET 被认为运行在直流区域。 下面的 SOA 图表显示、在12V V_DS 下、允许的最大电流 I_D 应小于5A。 因此、在这种情况下、MOSFET 的运行不安全。 我想知道我的理解是否有任何错误。
谢谢、
John
尊敬的 John：
感谢您的查询。 我是 TI 功率 MOSFET 的应用工程师。 我没有使用此参考设计、但已经查看了原理图。 在正常运行期间、VCPH 应该被拉高至足够高于输入电压的水平以打开并完全增强 Q8。 在这些条件下、漏源极电压 VDS 约为0V。 当 FET 从截止区域到线性区域(VDS << Vgs - Vth)穿过饱和区域(Vds > Vgs - Vth)时、我们最关心的是 FET 的导通和关断转换期间的 SOA、反之亦然。 在这些转换期间、存在电压(VDS)和电流(ID)、这是一种高功率耗散条件。 当 FET 完全增强时、我们最关心的是导通损耗(I^2 x Ron)以及从封装中去除热量的能力。 在截止期间、我们需要确保器件的 VDS < BVDSS。 为了确定 FET 是否在 SOA 范围内运行、我们需要知道导通和关断期间的开关转换时间。 有关 SOA 的更多信息、请参阅以下链接中的博客。
e2e.ti.com/.../understanding-mosfet-data-sheets-part-2-safe-operating-area-soa-graph
非常感谢您的快速回复。 您的答案非常有用。
我还有一个关于 MOSFET 选择的问题。 所选 MOSFET SQJ422EP-T1-GE3在25°C 时具有3.4 Mohms R_DS (on)。 当结温为150C 时、R_DS (on)将升高1.9x、达到6.5m Ω。 因此、电流为20A 时、Q8产生的热量将至少为2.6W。 数据表显示、封装结至环境的热阻为65K/W 如果设计了一个铜面积较大的4层电路板、则封装的最佳热阻可能为35K/W 结温可能比环境温度高90°C 以上。 因此、它不能用于环境温度超过80摄氏度的汽车应用。您能否评论一下我的理解是否正确？
谢谢、祝您度过美好的周末、
再次感谢您关注 TI FET。 我相信您的理解是正确的。 请访问我签名中的链接、访问我们的 MOSFET 支持与培训页面。 在这里、您将找到一个有关了解 MOSFET 数据表的博客系列、其中包括一个有关热阻抗的博客系列(链接如下)。 FET 供应商只能保证结至外壳的热阻抗、因为这是我们唯一可以控制的东西。 结至环境取决于 PCB 布局和层叠。 凭借具有多层的良好布局、我看到了20C/W 至25C/W 范围内的有效结至环境热阻抗 请注意、TI 不生产任何通过汽车认证的 FET。
e2e.ti.com/.../understanding-mosfet-data-sheets-part-6-thermal-impedance
谢谢你。 我喜欢阅读您的技术文章。
此致、
