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[参考译文] TIDA-00901：电路优化

admin
Guru**** 2524460 points
Other Parts Discussed in Thread: TIDA-010056, DRV8305, DRV8305-Q1, DRV8350R

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/903009/tida-00901-circuit-optimization

器件型号：TIDA-00901
主题中讨论的其他器件：TIDA-010056、 DRV8305、 DRV8305-Q1、 DRV8350R

您好！

我想知道是否最好将 C1、C2和 C3从 PVDD 连接到 SL_A、SL_B 和 SL_C、而不是将它们接地？ 由于 C1、C2和 C3是缓冲电容器、因此最好减少浪涌电压、通过将 MOSFET 从 PVDD (或高侧 MOSFET 的漏极)连接到 SL (或低侧 MOSFET 的源极)来保护 MOSFET。 在 TIDA-010056中、C10、C11、C12从 VDC 连接到 SLX。 请就此发表评论吗？

谢谢、

John

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    TI__Guru**** 2524460 points
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    John、大家好、下午好。  您的 E2E 问题已转发给我们的汽车系统设计团队。  请让我们在另一个工作日回顾并回答您的问题   

    此致

    John Fullilove

    参考设计操作

    应用工程师

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    TI__Guru**** 2524460 points
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    John、

    我认为 C1、C2和 C3作为缓冲电容器的作用更小、更像是与 C8和 C9一起使用的快速大容量电容器。  在许多设计中、使用缓冲电容器通常是为了减少 PWM 转换期间的"振铃"过冲。  但我们发现、通过使用 DRV8305的可调节"智能驱动"(IDRIVE 和 TDRIVE)设置、不需要缓冲器。   

    如果您参考 DRV8305-Q1 EVM、则可以看到跨 FET 提供了 Q3和 Q6、但未组装(DNP 说明)。

    如果您希望在每个相位的 FET 上包含缓冲器、那么按照您描述的方式连接它们是合适的。

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    TI__Guru**** 2524460 points
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    您好、Clark、

    感谢您的回复。 但是、我仍然对将这些电容器连接到 SLx 与接地之间的优缺点感到困惑。 在 TIDA-010056中、C10、C11、C12从 VDC 连接到 SLX、而 TIDA-010056中使用的 DRV8350R 也是智能栅极驱动器。

    谢谢、期待收到您的回复、

    John

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    TI__Guru**** 2524460 points
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    John、

    在 TIDA-010056中、去耦电容器 C10、C11和 C12将在高侧和低侧 FET 上实现高频的低阻抗路径、例如在剧烈转换期间。   TIDA-010056设计指南的第2.4.1节对这些进行了讨论。  请注意、SLx 通过 R24和 R25并联连接到 GND、这是0.5毫欧的组合。