您能否向我发送一个电路板布局、其中包含 TIDA 参考文献中列出的40A CSD19531Q5A MOSFET？
以及器件型号、我可以在其中订购它们。
或
是否换用 STP75NF75 MOSFET？
我n`t 修改电路板布局
谢谢
Amar、
感谢您关注我们的 FET。
如果您正在寻找要购买的 EVM、但很遗憾、此设计不可用、则此参考设计仅为书面形式、它本来已经过单个电路板的验证、但不能公开购买。
如果您只想购买功率 MOSFET、可在此处购买样片： 
此参考设计的所有光绘文件均可在此处找到、其中包括 MOSFET 布局
如果您正在寻找 MOSFET PCB 尺寸建议、请参阅 CSD19531Q5A 数据表的第10页。
但愿这对您有所帮助
Amar、
我认为 TI 可能提供了 MOSFET 选项、这并不意味着要过多地更改 PCB。
我们拥有较低电阻的 MOSFET、例如100V CSD19532Q5B 或80V CSD19502Q5B、我认为这可以满足您的需求。 它们的运行温度会很高、您需要将开关频率调低至50kHz、然后将电感器调整至大约30uH 以获得可接受的纹波电流。 我不确定市场上是否有如此高的电感、高电流、您需要进行检查。
CSD19502Q5B 和 CSD19532Q5B 应与设计安装在相同的 PCB 封装中。
我使用该工具进行了一些损耗计算、因为这是一种两相设计、我使用该工具时假设每相电流为20A：
我得出大约2.5-3W 的损耗@ 50kHz、这大约是该封装在典型应用中可以处理的功率、请参阅此处的文章以供参考：
因此 、STP75NF75应该起作用。
谢谢
Amar、
这些 MOSFET 的使用与负载开关类似，因此可以使用 I2R 计算功率损耗，然后您可以使用随附的博客了解每个封装通常能够耗散的功率损耗。
在您的情况下、原始参考设计中电路板上的 CSD18540Q5B 会耗散@ 20A ~1W (20*20**电阻@温度)、但40A 最有可能耗散近5W。 这通常对于 PCB 上的 SON5x6封装来说太大。
您将需要找到一个能够处理40A 电流的 FET 或 CSD18540Q5B 电流量的两倍的 FET、以便在它们之间分配电流。
