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您好！
我想知道是否最好将 C1、C2和 C3从 PVDD 连接到 SL_A、SL_B 和 SL_C、而不是将它们接地？ 由于 C1、C2和 C3是缓冲电容器、因此最好减少浪涌电压、通过将 MOSFET 从 PVDD (或高侧 MOSFET 的漏极)连接到 SL (或低侧 MOSFET 的源极)来保护 MOSFET。 在 TIDA-010056中、C10、C11、C12从 VDC 连接到 SLX。 请就此发表评论吗？
谢谢、
John
John、大家好、下午好。 您的 E2E 问题已转发给我们的汽车系统设计团队。 请让我们在另一个工作日回顾并回答您的问题
此致
John Fullilove
参考设计操作
应用工程师
John、
我认为 C1、C2和 C3作为缓冲电容器的作用更小、更像是与 C8和 C9一起使用的快速大容量电容器。 在许多设计中、使用缓冲电容器通常是为了减少 PWM 转换期间的"振铃"过冲。 但我们发现、通过使用 DRV8305的可调节"智能驱动"(IDRIVE 和 TDRIVE)设置、不需要缓冲器。
如果您参考 DRV8305-Q1 EVM、则可以看到跨 FET 提供了 Q3和 Q6、但未组装(DNP 说明)。
如果您希望在每个相位的 FET 上包含缓冲器、那么按照您描述的方式连接它们是合适的。
您好、Clark、
感谢您的回复。 但是、我仍然对将这些电容器连接到 SLx 与接地之间的优缺点感到困惑。 在 TIDA-010056中、C10、C11、C12从 VDC 连接到 SLX、而 TIDA-010056中使用的 DRV8350R 也是智能栅极驱动器。
谢谢、期待收到您的回复、
在 TIDA-010056中、去耦电容器 C10、C11和 C12将在高侧和低侧 FET 上实现高频的低阻抗路径、例如在剧烈转换期间。 TIDA-010056设计指南的第2.4.1节对这些进行了讨论。 请注意、SLx 通过 R24和 R25并联连接到 GND、这是0.5毫欧的组合。
