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[参考译文] PSpice for TI:TI 的仿真错误 PSpice

Guru**** 2034770 points
Other Parts Discussed in Thread: LM358LV, TLV9052, OPA197
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/939109/pspice-for-ti-simulation-error-pspice-for-ti

器件型号:PSpice for TI
主题中讨论的其他器件:LM358LVTLV9052OPA197

尊敬的*:

我绑定到使用 BSS131 MOSFET 运行仿真。

我将模型导入到了 PSPICE for TI 中、在"编辑仿真配置文件->配置文件->库"中、将.lib 添加到了设计中

当我运行直流仿真时、我得到这个误差:

--------------------------------------------------------------------

***** 09/09/2012:24:12***** PSpice 17.4.0 (2018年11月)***** ID# 0****

**配置文件:"SCHEMATIC1-DcSim"[ D:\Simulation\PSpice\LedMosfetVoltage\LedMosfetVoltage-PSpiceFiles\S


****电路说明


秘书长的报告


**创建电路文件"DcSim.cir"
**警告:此自动生成的文件可能会被后续仿真覆盖

*库:
*配置文件库:
*本地库:
.LIB "../../../lib/infineon-simulationmodel_optimos_powermosfet_pspice_240v_400v_600v_800v_n-channel-sm-v01_00-en/n_channel_small_s
+"ignal_240V_250V 400V_600V.lib"
*来自 C:\Users\David\AppData\Roaming\SPB_Data\cdssetup\OrCAD_PSpiceTIPSpice_Install\17.4.0\PSpice.ini 文件的[PSPICE 网表]部分:

错误(ORPSIM-16276):由于库./../../lib/infineon-simulationmodel_optimos_powermosfet_pspice_240v_400v_600v_800v_n-channel-sm-v01_00-en/n_channel_small_signal_240v_250v_400v_600v.lib 而无法完成仿真
不可用。
.lib "nom_pspti.lib"
.lib"nom.lib"

*分析指令:
.DC LIN V_V1 0 240 1
选项 ADVCONV
.PROBE64 V (alias (*)) i (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*))) noise (alias (*))
.INC "..\SCHEMATIC1.net

****包括 SCHEMATIC1.net ****
*拉电流 LEDMOSFETVOLTAGE
X_U1 N00166 N00174 N00170 BSS131_L0
R_R1 N00166 N00162 1k Tc=0、0
R_R2 0 N00170 1k Tc=0、0
V_V1 N00162 0 200Vdc
V_V2 N00174 0 3Vdc

****恢复 DcSim.cir ****
.end

此致、

David。

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    我通过重新添加.lib 文件来减缓了第一个错误、现在我得到了:

    -------- 信息(ORPROBE-3209):模拟配置文件:SCHEMATIC1-DcSim ---
    INFO (ORPROBE-3183):正在运行仿真...
    **配置文件:"SCHEMATIC1-DcSim"[ D:\Simulation\PSpice\LedMosfetVoltage\LedMosfetVoltage-PSpiceFiles\S
    读取和检查电路
    INFO (ORPSIM-15423):无法找到库文件 n_channel_small_signal_240V_2V_400V_600V.lib 的索引文件 n_channel_small_signal_240v_250v_400v_600v.ind。
    信息(ORPSIM-15422):为库文件 n_channel_small_signal_240V_250V、400V_600V.lib 创建新的索引文件 n_channel_small_signal_240v_250v_400v_600v.ind。
    为库 D 生成索引文件:\Simulation\PSpice\LedMosfetVoltage\ledmosfetvoltage-pspicefiles\schematic1\dcsim\n_channel_small_signal_240V_250V 400V_600V/lib
    请耐心等待。 这可能需要几分钟时间...
    警告(ORPSIM-15246):库索引文件 nom_pspti.ind 的格式不正确
    INFO (ORPSIM-15422):为库文件 nom_pspti.lib 创建新的索引文件 nom_pspti.ind。
    为库 C:\Users\David\AppData\Roaming\SPB_Data\cdssetup\pspTILibDir\nom_pspti.lib 生成索引文件
    请耐心等待。 这可能需要几分钟时间...
    电路已读入并检查、无错误
    错误(ORPSIM-16583):检测到包含晶体管或二极管的导入模型。 对于此类模型、PSpice for TI 支持至少一条且最多三条布线。 减少布线数量并再次进行仿真。
    错误(ORPSIM-16583):检测到包含晶体管或二极管的导入模型
    运行已中止
    总作业时间(使用解算器1)= 136.02

    INFO (ORPROBE-3188):模拟已中止

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    更新:

    我按照 FAE 的建议重新安装了 PSPICE for TI:

    1. 卸载现有版本(从 Windows 控制面板)。
    2. 2.       出现提示时,请执行系统重新引导。
    3. 3.       重命名或删除这些文件夹:
      1. a.        C:\SPB_Data\cdssetup\pspTILibDir
      2. b.       C:\SPB_Data\cdssetup\OrCAD_CaptureTIPSpice_Install
      3. c.        C:\SPB_Data\cdssetup\OrCAD_PSpiceTIPSpice_Install
    4. 4.       按照您收到的访问密钥电子邮件下载并安装生产(S002)版本。

     

    这些步骤可确保随软件安装正确的库。

    然后、我导入了 BSS131 .lib 和设置直流仿真、点击"run"、日志如下:

    -------- INFO (ORPROBE-3209):仿真配置文件:SCHEMATIC1-dc_sim ---
    INFO (ORPROBE-3183):正在运行仿真...
    **配置文件:"SCHEMATIC1-dc_sim"[ D:\Simulation\Project\LED_MOSFET_VOLTE-PSpiceFiles\SCHEMATIC1\dc_sim。
    读取和检查电路
    INFO (ORPSIM-15423):无法找到库文件 n_channel_small_signal_240V_2V_400V_600V.lib 的索引文件 n_channel_small_signal_240v_250v_400v_600v.ind。
    信息(ORPSIM-15422):为库文件 n_channel_small_signal_240V_250V、400V_600V.lib 创建新的索引文件 n_channel_small_signal_240v_250v_400v_600v.ind。
    为库 D 创建索引文件:\Simulation\libInfineon 仿真 model_optimos_powermosfet_pspice_240V_400V_600V_800V_n-channer-SM-v01_00-en\n_channel_channel_small_signal_240V_250V 400V_600V.lib
    请耐心等待。 这可能需要几分钟时间...
    INFO (ORPSIM-15423):找不到库文件 nom_pspti.lib 的索引文件 nom_pspti.ind。
    INFO (ORPSIM-15422):为库文件 nom_pspti.lib 创建新的索引文件 nom_pspti.ind。
    为库 C:\Users\username\AppData\Roaming\SPB_Data\cdssetup\pspTILibDir\nom_pspti.lib 创建索引文件
    请耐心等待。 这可能需要几分钟时间...
    电路已读入并检查、无错误
    错误(ORPSIM-16583):检测到包含晶体管或二极管的导入模型。 对于此类模型、PSpice for TI 支持至少一条且最多三条布线。 减少布线数量并再次进行仿真。
    错误(ORPSIM-16583):检测到包含晶体管或二极管的导入模型
    运行已中止
    总作业时间(使用解算器1)= 125.45

    INFO (ORPROBE-3188):模拟已中止

    稍后我想将 LM358LV 添加到仿真中。

    BR。

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    尊敬的所有人:

    我设法使仿真运行、现在我有以下问题:为什么第一个脉冲周期与另一个脉冲周期不同? 请参阅以下图片:

    此致、

    David。

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    感谢您的发帖以及您对 PSpice for TI 的兴趣。

    我的早期脉冲之间的差异是由于启动瞬变引起的。
    它们可能需要一段时间才能稳定、而仿真可能需要运行更长的时间才能使瞬态趋于稳定。

    仿真后面的波形是否符合您的预期?

    此致、
    John

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    尊敬的 John:

    好的、我认为稍后的仿真波形是可以的。

    我成功地使用 LM358LV 运算放大器模拟了电路,但当我将 ti 运算放大器更改为 TLV9052时,仿真正在生锈...

    输出窗口:

    -------- 信息(ORPROBE-3209):模拟配置文件:TIME_SIM-TIME_SIM ----
    INFO (ORPROBE-3183):正在运行仿真...
    **配置文件:"TIME_SIM-TIME_SIM"[ D:\Simulation\Project\LED_MOSFET_VOLTE-PSpiceFiles\TIME_SIM\TIME_SIM。
    读取和检查电路
    电路已读入并检查、无错误
    计算瞬态分析的偏置点
    开始 GMIN 步进
    启动电源步进
    启动伪瞬态算法
    INFO (ORPSIM-16594):为了提高伪瞬态收敛和性能、请设置以下选项以放宽电容器电流和电感器电压的稳定标准:PTRANABSTOL=1e-5、PTRANVNTOL=1e-4

    此信息意味着什么?

    如果我取消仿真并再次运行、我将得到:

    模拟暂停:

    我应该怎么做?  

    此致。

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    第一步是确认 TLV9052适用于您使用的电源。
    如果不是、则尝试修改电源以与此部件配合使用。

    如果是、请通过调用"AutoConverge"功能来修改仿真配置文件。

    这有时有助于解决收敛问题、具体取决于原因。

    此致、
    John

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    另一件事是检查新器件的引脚排列。

    请确认新器件的引脚与第一个器件相同。

    否则、可交换电源引脚、交换输入引脚。
    这两种情况都可能导致收敛问题。  

    此致、
    John

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    尊敬的 John:

    我检查了引脚排列、它与 LM358LV 相同、我也检查了展位运算放大器在3.3V 电压下工作的情况。 此外、它们具有 DS 中指定的相同 VCM 共模电压范围。

    我在 V+和0V AD V-处使用3.3V 电源、

    1)

    ----------------------------------------------------

    如果我选中"autocle"、然后单击"OK"、然后单击"Resume"  

    使用以下日志:

    **配置文件:"TIME_SIM-TIME_SIM"[ D:\Simulation\Project\LED_MOSFET_VOLTE-pspicefiles\time_sim\time_sim。
    读取和检查电路
    电路已读入并检查、无错误
    计算瞬态分析的偏置点
    开始 GMIN 步进
    启动电源步进
    启动伪瞬态算法
    INFO (ORPSIM-16594):为了提高伪瞬态收敛和性能、请设置以下选项以放宽电容器电流和电感器电压的稳定标准:PTRANABSTOL=1e-5、PTRANVNTOL=1e-4
    INFO (ORPROBE-3185):模拟暂停
    INFO (ORPROBE-3183):正在运行仿真...
    信息(ORPROBE-3190):仿真完成

    ----------------------------------------------------

    2) 2) 如果选中"autocle"、然后单击"OK"、然后重新启动"Get "  

    需要很长时间、这里是日志输出:

    -------- 信息(ORPROBE-3209):模拟配置文件:TIME_SIM-TIME_SIM ----
    INFO (ORPROBE-3183):正在运行仿真...
    **配置文件:"TIME_SIM-TIME_SIM"[ D:\Simulation\Project\LED_MOSFET_VOLTE-pspicefiles\time_sim\time_sim。
    读取和检查电路
    电路已读入并检查、无错误
    计算瞬态分析的偏置点
    开始 GMIN 步进
    启动电源步进
    启动伪瞬态算法
    INFO (ORPSIM-16594):为了提高伪瞬态收敛和性能、请设置以下选项以放宽电容器电流和电感器电压的稳定标准:PTRANABSTOL=1e-5、PTRANVNTOL=1e-4
    瞬态偏置点计算中的收敛问题

    这些电压无法收敛:

    V (X_U2.58)=-2.655V \-2.650V
    V (X_U2.49)=-2.655V \-2.650V
    V (X_U2.33)=-2.663V \-2.658V
    V (X_U2.CLAMP)=-2.663V \-2.658V
    V (X_U2.41)= 10.70mV \ 10.59mV
    错误(ORPSIM-15661):显示5个错误中的5个。 完整列表请参阅输出文件

    这些电源电流无法收敛:

    I (X_U2.E4)= 3.525pA \ 4.751fA
    I (X_U2.E1)= 4.480pA \ 11.07pA
    I (X_U2.V11)=-72.21mA \-67.48mA
    I (X_U2.H2)=-47.35pA \ 2.819e-18A
    错误(ORPSIM-15660):这些设备无法收敛
    X_U2.XVOS_VCM.E1
    X_U2.XVOS_VCM.E2
    INFO (ORPROBE-3185):模拟暂停

    此致、

    David。

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    David、

    您是否会将您的设计存档并将其附加到此主题?

    您可以通过单击左侧面板层次结构中的"设计资源"文件夹、然后选择"文件/存档项目"来存档项目。

    选中弹出窗口中的所有框、并使用回形针图标将生成的 zip 文件附加到此线程。

    我们有了这个、我将要求其中一位产品线专家来看看电路。

    此致、
    John

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    尊敬的 John:

    请找到所附项目的存档。

    e2e.ti.com/.../zero_5F00_pwr_5F00_meas_2D00_2020_2D00_09_2D00_18T06_2D00_44.zip

    此致、
    David。

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    David、

    OPA197模型位于 PSpice for TI 开始页面的原理图之一。
    我经常使用这个原理图进行测试、所以我相信这个模型不是问题。

    我从电路中删除了 FET 模型、但误差消失了、因此 FET 值得仔细观察。

    通过右键单击原理图符号并选择 View PSpice Model LIST FUNC (查看 PSpice 模型展示的函数)来查看 FET 模型网表、该函数使用以"ln (...)"表示的自然日志函数。

    FET 模型网表第481行的一个示例: .FUNC Idiode (uSD、Tj、ISS){exp (min (ln (ISS)+uSD/(nDI*kBq* Tj)、7))-ISS}

    用于自然日志的 PSpice 函数是"log(...)"、因此它可能无法识别函数"ln (...)"。
    这很可能是误差的来源。

    最好的替代方案是使用内置于 PSpice for TI 中的可编程功率 MOSFET 模型替换您的 FET 模型。  
    您可以在离散/MOSFET/功率 MOSFET 库中访问它。
    更简单的方法是从内置建模应用程序中放置它。
    这种方法的另一个优势是不会对绘制仿真结果施加限制。
    如果您使用导入的模型、可绘制的波形数将限制为三个。  

    有关如何使用此模型的详细信息、请访问 :C:\Cadences\PSpiceTI\doc\cap_ug\Using_Parameterized_Power_MOSFET_and_Parameterized_Power_Diode.html

    要放置模型,请单击建模应用程序图标以启动建模应用程序:  

    在建模应用面板中、单击功率 MOSFET:

    此时将显示 MOSFET GUI 面板。 选择 N 沟道 P 沟道 MOSFET。
    然后将器件数据表中的参数转置到 GUI 字段中、然后单击"放置"。

    该符号随即出现、可连接到原理图中。

    如果您有任何疑问、请告诉我。

    此致、
    John

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    David、

    您可以尝试调整仿真分析参数。  
    我尝试调用 AUTOCONVERGE、但这似乎没有帮助。

    在瞬态仿真中、您可以选择不计算初始直流偏置点。
    如果您这样做、它会跳过该步骤并继续执行分析的时变部分。

    当我尝试它时、它运行正常。
    此选项的缺点是、您可能需要运行仿真更长的时间才能使启动瞬变消失。

    执行此操作的设置如下图所示。  

    但愿这对您有所帮助。

    如果您有任何疑问、请告诉我。

    此致、
    John

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    David、

    我将我的回复向上添加到了您的两个主题。 此页面上的最新帖子(9/18)适用于您的其他主题、网址为:
    e2e.ti.com/.../941439
    对此表示歉意。

    您在此页面上报告的原始问题是否仍然未解决?

    错误(ORPSIM-16276):由于库./../../lib/infineon-simulationmodel_optimos_powermosfet_pspice_240v_400v_600v_800v_n-channel-sm-v01_00-en/n_channel_small_signal_240v_250v_400v_600v.lib 而无法完成仿真
    不可用。

    此致、
    John