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工具/软件:WEBENCH设计工具
希望使用 LM5122mH/NOPB 设计12V - 48V 升压转换器。 电流最大值需要为20A、但我从 Webench 得到的误差表明电流超出限值。 在仿真中是否有办法解决此问题、以便我获得所需的设计? 我指定了20V 至30V 的输入电压范围。 我计划使用此升压转换器运行两个350W 电机。 谢谢。
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工具/软件:WEBENCH设计工具
希望使用 LM5122mH/NOPB 设计12V - 48V 升压转换器。 电流最大值需要为20A、但我从 Webench 得到的误差表明电流超出限值。 在仿真中是否有办法解决此问题、以便我获得所需的设计? 我指定了20V 至30V 的输入电压范围。 我计划使用此升压转换器运行两个350W 电机。 谢谢。
尊敬的 Amar:
我们致力于为 LM5122提供针对高输出功率/负载的 WEBENCH 设计支持。
请注意、在 WEBENCH 找不到合适的并联 FET 的情况下、我们最终可能会获得理想/定制 FET。
以下是您的条件的当前状态
1. VIN=20V - 30V,VOUT=48V,20A
我们能够为此设计获得并联 FET。 此外、由于 WEBENCH 数据库中不存在额定电流较高的电感器、因此电感器会生成定制组件。
2. VIN=10V - 20V、40A 时 VOUT=24V
目前、WEBENCH 中的器件最大 Iout 限制为35A。 因此、我们将与产品专家一起检查是否可以提高此限制。
即使我们启用高输出电流设计、我们也很可能最终为此设计提供理想的 FET。 电感器也会产生定制组件
关于 PCB/电路板、目前 WEBENCH 基础设施不支持理想/并行 FET。
我们所做的任何更改将在2019年12月20日之前在 TI.com 上提供。 如有任何疑问、敬请告知。
谢谢、此致、
Harish
我很难找到合适的高电流电感器。 我是否可以使用它? https://www.mouser.com/ProductDetail/Vishay-Dale/IHXL2000VZEB2R2M5A?qs=AQlKX63v8RvThbc%252BB5a6jw%3D%3D
它是一个2.2uH 的电感器、不像额定的1uH 电感器。
如果我可以使用它、您是否可以让我选择该电感器作为替代器件?
非常感谢您的帮助
尊敬的 Amar:
WEBENCH 通常为每个 BOM 组件提供建议的范围。 您可以通过单击 WEBENCH 原理图中的特定 BOM 并单击"Choose Alternate (选择替代)"按钮来检查建议的范围。 请按照下图中提到的步骤验证电感器的建议范围。
您可以使用"编辑"选项来编辑"建议的限制"。 但是、WEBENCH 数据库没有 IHXL2000VZEB2R2M5A 电感器、因此您将无法选择该电感器。
根据 WEBENCH 建议的范围、仍可使用2.2uH 电感器。 IHXL2000VZEB2R2M5A 电感器违反的唯一规格是 IDC (A)额定值。
IHXL2000VZEB2R2M5A 的 IDC 额定值为125A、而 WEBENCH 建议的最小值为138A。 但是、由于 WEBENCH 为更可靠的设计增加了一定的裕度、因此对于[Vin=10V - 20V、Vout=24V、35A]条件、125A 额定电感器应该可以正常工作。
在继续进行应用设计之前、我们强烈建议您验证电路板上的结果。
谢谢、此致、
Harish
尊敬的 Amar:
目前、WEBENCH 原理图中不存在电阻 Rcsfn 和 Rcsfp。 我们将相应地更新 PCB 板。 由于 CSn 和 CSP 是高阻抗和噪声敏感信号、建议使用 Vias 将这些走线连接到 Rsense 电阻器、而不是连接到顶层多边形。
WEBENCH 数据库中满足上述条件的 VDC、IRMS 和 ESR 要求的电容器数量有限、因此在 WEBENCH 原理图中并联添加了21个输出电容器(120uF*21)。
谢谢、此致、
Praveen
好的、我自己已经取下了焊盘。
为使每个 MOSFET 导通、对其施加了什么 Vgs 电压? 我正在寻找高功率 MOSFET、需要确保选择正确的具有正确 Vgs 的 MOSFET。
我`s 查看 WEBENCH 电源设计器中电感器的替代 MOSFET Δ I 规格。
该 MOSFET 是否适合使用 IRFB4115PBF? 你有什么建议吗?
此外、您是否有办法在 webench 中启用效率计算? 我需要选择合适的开关频率。
谢谢
尊敬的 Amar:
施加到高 MOSFET 和低 MOSFET 的栅源电压等于 VCC 电压(7.6V)。 WEBENCH 找不到适合这种情况的 FET、因此在 WEBENCH 上选择了理想的 FET。 WEBENCH 上未显示效率计算和替代 MOSFET 列表、以实现理想 FET。 IRFB4115PBF FET 具有更高的功率耗散、在这种情况下它违反了 FET 的最高结温。
请选择47uF、16V Cvcc 电容器。 推荐的 Coutx 范围为40uF-50uF 34V。
谢谢 、此致、
Praveen
尊敬的 Amar:
请告诉我们以下有关您设计的问题。
您共享的 WEBENCH 设计有两个理想的 MOSFET。 请告诉我们您的电路板设计中使用了哪些 FET。
2.原理图和 BOM 组件是否与 WEBENCH 设计匹配? 如果没有、请分享原理图和 BOM 组件。
3、我们仿真了上述 WEBENCH 设计、输出电压稳定到预期值。 我们会将您的疑问转发给专家、以审查电路板设计。
谢谢、此致、
Praveen
尊敬的 Amar 和 Praveen:
这来自 BSC 产品线。 我们拥有 LM5122 IC、我们刚刚注意到了这个线程。
恐怕单个 LM5122无法支持48V @20A。 您的目标应用高达1000W、而 LM5122的3A 驱动器不够强大。 LM5122在类似应用中的最大功耗约为200至250W、采用单个 LM5122。 更高的功率要求在多相配置中并联更多的 LM5122。 您可以在以下网页上找到参考设计。
https://www.ti.com/product/LM5122/toolssoftware
LM5170 (https://www.ti.com/product/LM5170)是一款双相控制器、是支持此类高功率的更合适器件。 驱动器要强得多、单个器件可以支持1000W。 条件是您需要找到一个合适的电感器来支持500W、因此您可以使用单个 LM5170 IC 在双相位中实现100W 的功率。 如果不是、您可以考虑并联配置两个 LM5170的三相或四相。
您可以先试用标准 EVM、该 EVM 在双相模式下限制为700W、主要受电感器的限制、而不受 LM5170 IC 本身的限制。 如果您可以使用额定电流更大的板载电感器进行交换、则可以测试更高的功率。 请记住、当您使用较大的电感器时、增加 IPK 引脚上的电阻器以打开逐周期电流限制阈值、从而允许更高的电流。
谢谢、
应用工程学 Yohao Xi
我们现在认为问题是由我们 的 MOSFET https://www.vishay.com/docs/76843/sqp90142e.pdf 引起的
VGS 为10V、我们的 LM5122具有只能提供高达7.6V 电压的 VCC。 是否可以使用电源为 Vcc 引脚提供10V 的初始电压、如下面的数据表所示?
谢谢、
尊敬的 Amar:
首先、为什么您选择200V FET、而100V FET 可以满足这一要求? 但是、我认为先前讨论的问题与 MOSFET 无关。 您的 FET 的 Vth 仅为4V、因此7V 驱动器可以成功驱动它。 如上所述、开关节点电压波形上的尾振铃根本不是问题、在 DCM 下这是正常的。 如果您不喜欢尾振铃、则需要更改电感器以在 CCM 下运行电路。
无论如何、您可以像上图中那样为 VCC 提供外部电源、而更高的驱动器电压将增强驱动器、您可能会看到效率得到提高。
谢谢、
Youhao