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器件型号：TIDA-01455
在 TIDA-01455参考设计中、顶部和底部开关有不同的 RDRV 电阻器。 它们定义了 GaN 开关瞬态过程的压摆率。
在顶部开关中、使用100k 电阻器、而在底部开关中使用100k 电阻器和68k 电阻器的并联连接。 如果我理解正确、它会为开关提供不同的压摆率。 为什么？
顶部开关：
底部开关：
如何正确选择压摆率？
顺便说一下、在物料清单中、没有 Q4 MOSFET 可实现68k 的额外电阻(而 Q4在方案上保持不变)。 为什么？ 也许它与第一个问题有某种关联：也许我们只需要一个没有68k 并联的100k 电阻器？
我们是否真的需要在三相逆变器中使用该晶体管 Q4来进行自举电容器充电？ 以及如何在自举充电过程中确定合适的电阻？ 也许在充电期间减少底部开关的初始 PWM 周期时间就足够了？
