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[参考译文] WEBENCH®︎工具/LM5122：适用于高电压输出的 Webench FET 适用性标准

admin
Guru**** 2005520 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5122
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/599213/webench-tools-lm5122-webench-fet-suitability-criteria-for-high-voltage-output

器件型号：LM5122

工具/软件：WEBENCHRegistered设计工具

大家好、

我们正准备发布使用 UCC29901 PFC IC 的大众市场交流/直流设计、该设计在合规性测试的最后阶段运行良好。

我们现在要做的是用10-60V 直流输入版本以及交流输入器件(即10-60VDC 输入、84VDC 输出、大约1A 至1.2A)替换 UCC29901生成的84V 总线； 这样、我们就可以生成直流电池版本、并通过太阳能电池板供电。

我正在 使用 webench 评估 LM5122、并有一个问题……。  

如果我使用80V 的输出值、一切都可以、如果我增大到81V、则表示它找不到合适的 FET、但对我来说似乎可以。 是否有人可以帮助评估以下设计是否支持84V 输出、以及当接受80V 但不支持81V 的输出电压时、webench 会抱怨什么参数？

谢谢

Lee

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    TI__Guru**** 2005520 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Lee、

    感谢您的反馈。 我想确保 LM5122具有正确的输入-它们是10-60V 输入电压、84V 输出电压、1A 输出电流吗？

    此外、当您尝试如您所述的较低输出电压(如80V 或81V)时、您能否告诉我您用于此边缘的 Iout？ 我无法在1A 时创建80V 或81V 的设计、但能够以0.8A 等更低的电流创建设计。

    该工具内部的算法会迭代解决方案、同时确保 IC 或 FET 能够满足电压和电流要求以及封装的热要求。 此外、额定电压较高的 FET 可能尚未通过其他一些检查、例如封装上的高温检查、但为了调试确切的原因、这将有助于获得上述问题的答案。

    此致、

    模块

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    TI__Guru**** 2005520 points
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    您好！

    感谢您的反馈。 我浏览过我尝试过的不同配置、您所提到的完全正确。 我想保持在1A、但将其丢弃以查看截止点根据工具的位置。 我可以在0.8A 电流下获得10-60V 输入、80V 输出、但如果我将其提升至81V、则该工具无法创建设计供我评估。 在本例中、我尝试使用该工具来帮助我了解断点是80-81V 输出的原因和原因。 在最终设计中、我可以在10-50V IN 下趋稳、但希望在1A 时获得尽可能接近84V 的电压。 作为一个试验、我发现、如果我将输入调整为17-60V、将输出调整为84V 1A、这是有效的。 这是我感到困惑的地方。 我的选项似乎是增加最小输入电压或将输出电压降低4V、但我无法正确理解哪些参数过于接近以获得舒适感。

    我要提前感谢您的观看。 我们选择了这个特定的 IC、因为我们可以获得所需的效率。

    Lee
  • 0
    TI__Guru**** 2005520 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Lee、

    感谢您的澄清。 我在这种情况下执行了一些操作、FET 选择是瓶颈。 我们无法找到能够满足热约束(FET 热阻、损耗等的函数)的 FET 它主要与流经 FET 的 RMS 电流有关。 当通过 FET 的平均电流较高时、RMS 电流较高。 当然、除了平均电流外、我们还使用电流纹波来计算最终 RMS 电流。 为了简化解释、我将为下面的平均输入电流假定无损方程：

    IinAvg = Iout * Vout/VinMin (对于最坏情况的计算、我们使用 VinMin 进行升压)

    如您所见、降低 Iout 或 Vout 并增加 VinMin 将导致 IinAvg 降低、从而降低 RMS 电流。 在本例中、您通过降低 Iout (1A -> 0.8A)或 Vout (84V->80V)以及增加 VinMin (10V -> 17V)来观察这一点。 RMS 电流越高、FET 的损耗越大、温度越高、从而导致工具中出现设计故障。 如您所见、较低的 IRMS 电流将为您提供通过设计的机会。

    当您在电路板上实际创建设计时、其他因素可能会有所不同。 例如、我们工具中的 FET 热阻来自 FET 的数据表、该值通常用于特定的电路板。 您的电路板布局/覆铜厚度等可能不同、可能会导致 FET 的有效热阻较低或较高、这可能导致温度低于或高于我们的估计值。 我会为工具中的较低规格创建一个设计、并将其用作您使用此 IC 进行更深层次电路板测试的良好起点。 如果您有任何疑问、请告诉我、如果有更多帮助、请告诉我。

    此致、

    模块

  • 0
    TI__Guru**** 2005520 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Amod、

    感谢您花时间解释该工具是如何衍生其操作点的。 您的答案包含了我向前推进所需的所有内容、现在我可以了解工具告诉我的内容。 我正在继续进行 PCB 布局、我确信借助这些信息、我可以找到解决方案。

    再次感谢大家，我认为问题已经得到了解答。

    Lee