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[参考译文] TINA/Spice/CSD86330Q3D:显著的 GS 容量偏差

Guru**** 2524550 points
Other Parts Discussed in Thread: TINA-TI

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/613843/tina-spice-csd86330q3d-significant-gs-capacity-deviation

器件型号:CSD86330Q3D
主题中讨论的其他器件:TINA-TI

工具/软件:TINA-TI 或 Spice 模型

我正在评估降压 NexFETTm电源块,并通过测量发现,在该器件的模型中,G2 (BG)的栅极源极容量是 G1 (TG)的栅极源极容量的两倍以上。

器件的数据表未确认这一点!

模型中是否有错误?

e2e.ti.com/.../CGate_5F00_1.TSC

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    您好、Norbert、

    欢迎访问 TI 的 E2E 论坛。 您能否详细说明一下您所谓的"栅极源极容量"是什么意思?
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    Helli Nikhil、

    请参阅数据表章节:

    5.5电气特性

    动态特性

    CIS 输入电容典型值为1280pF (这就是我对栅极-源极容量的意思)

    我相信 CISS 的指定值对控制 FET 和同步 FET 都有效

    但我在所示仿真中发现、SYC FEF 的 CIS 是控制 FET 的 CIS 的两倍多

    这是不够的。 或针对数据表

    BR Norbert

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    诺伯特  

    我与 FET 组合作。 我正在为您研究这个问题、希望稍后能得到解答。  

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    诺伯特
    我确认、对于 PSPICE 模型、CISS 准确地反映了数据表中的~710 (HS)和~1280 (LS)值。 数据表中也是这种情况。

    同步和控制 FET 的值不应相同。

    这是否与您在 TINA 模型中看到的内容一致?

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    Brett、

    现在、由于在线数据表突然为 Q1和 Q2提供了单独的值 、我可以同意我在仿真和数据表中看到的结果。

    感谢您了解这一点。

    BR

    Norbert

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    谢谢你 Norbert。

    据我所知、在线数据表未做任何更改、但无论如何、我很高兴问题得到解决。