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主题中讨论的其他器件：TINA-TI工具/软件：TINA-TI 或 Spice 模型
大家好、
我需要一个在 PA 区域下运行的具有亚阈值电流的分立式 NMOS、以及一个可将特性数据与进行比较的相应模型。 我的团队和我正尝试在亚阈值区域深运行分立式 MOSFET、以实现最终集成的概念验证设计。 到目前为止、我们使用了来自不同供应商的 N 沟道 FET、并且能够测量 PA 范围内10s 的亚阈值电流。 但是、当尝试使用相应的模型文件在仿真中实现这些结果时、我们只能针对与测试设置相同的偏置电压获得 uA 范围或更高的结果。 我们从另一个供应商处使用的模型是3级 SPICE 模型、它对子阈值区域建模不良。 在典型应用中、这是可以的、因为这些 FET 通常不在该区域中运行、但对于我们的概念验证设计、这本质上是至关重要的。
我想知道的是：
1) 您通常为分立式 FET 创建哪种级别的 SPICE 模型。
2) 您的产品系列中是否有任何产品符合 PA 亚阈值性能的10秒要求、还具有随附的模型？
如果第二个问题要求我发布第二个帖子、请忽略它。 我在这里的主要兴趣是 TI 为其分立式 FET 和类似产品系列提供的 SPICE 模型的复杂性。 提前感谢。
