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[参考译文] TIDA-00364：电容器板-电容器选择和值计算

admin
Guru**** 2557520 points
Other Parts Discussed in Thread: TIDA-00364

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/709725/tida-00364-capacitor-board--capacitor-selection-and-calculation-of-values

器件型号：TIDA-00364

电容器板 PCB 使用了30个电容器、120微法拉电容器、如原理图所示。

该值是如何获得的、并联使用这多个电容器的原因是什么？ 是要保持较硬的直流输入吗？

此外、您能否在 CB_PCB 原理图中解释辅助电路、其中使用了200K 和10K 电阻器以及0.01微法拉电容器。 我认为它用于滤波目的。 请分享您的观点。

此致、

Pallab

  • 0
    TI__Guru**** 2557520 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Pallab、您好、感谢您关注德州仪器和我们的 TI 设计。 我注意到您对此特定设计有多个 E2E 问题。 为了帮助您快速回答您的问题、最好只需点击 TI 工程师的最后一个回复、而不是每次提交不同的 E2E 主题。

    这样做可以避免额外的处理延迟、并且响应直接发送给您已经了解的设计所有者。 当它是新的 E2E 主题时、必须将新主题重新转发给同一位工程师、该工程师实际上位于主持该特定 E2E 论坛的团队的另一个全球区域。

    希望这些信息对您有所帮助。 您的问题已提交给我们的工程师 Pawan、他回答了您的初始问题。 您应该会在接下来的1-2个工作日内收到来自 Pawan 的回复。

    此致、

    J. Fullilove
    应用工程师
    TI Designs
  • 0
    TI__Guru**** 2557520 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Pallab、感谢您关注此 TIDA。 此参考设计的目标是展示 MOSFET 及其栅极驱动器的并联、而不是完整的终端产品/逆变器。 因此、直流链路电容尚未进行优化。 直流链路电容器的选择取决于额定电压、电容和纹波电流额定值。 客户应根据多个参数决定/优化该值。 有关直流链路电容器选择的更多理论、请参阅 IEEE 论文或电力电子学教科书。 我们很高兴在与 TI 器件相关的问题上提供帮助。

    包含200k 和10k 的分压器可用于测量逆变器相电压。 它可以连接到 MCU 上的 ADC 引脚。 希望这能解答您的疑问。

    此致、
    Pawan
  • 0
    TI__Guru**** 2557520 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 John：

    感谢您的通知和帮助。 我想知道、即使用户声明讨论已解决、是否仍有可能继续讨论。

    此致、

    Pallab

  • 0
    TI__Guru**** 2557520 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好、Pawan、

    感谢您的参与。 我确实参考了几个参考文献(论文和材料)来了解直流总线电容计算。 我只是想知道是否对 TIDA-00364做了类似的事情、因为设计文档中没有此信息。

    如果您能回答以下问题、将会大有帮助：

    1.与文档中提到的5KW 电机不同，我需要运行2.5KW 机器。 在这种情况下、由于额定电流较低、我可以并联安装2个或3个 MOSFET、而不是全部5个 MOSFET、这是否正常。 我理解增加编号的好处 并联的 MOSFET、如文档中所述、可减少损耗。 但是、如果降低额定值本身、是否真的需要它。

    2.随着并联 MOSFET 的数量增加，它们与公共栅极驱动器的距离也会增加。 与较近的 MOSFET 相比、这是否会影响开关较晚/较远 MOSFET 的性能、因为距离增加？ 如果是的话。 如何操作？请澄清。

    此致、

    Pallab

  • 0
    TI__Guru**** 2557520 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Pallab、

    1.决定并联使用的 FET 数量，关键是要确保 FET 的结温在最大工作温度下的限值内。 首先、必须计算每个 FET 的功率耗散。 然后、可以使用设计指南中显示的热模型来估算最大结温上升(为了进行精确分析、需要进行热仿真)。

    设计指南第2.2.3.2节中提到了影响 FET 开关的多个参数。 栅极驱动距离只是其中之一。 通常、在布局中尽量保持从公共栅极驱动器到每个 FET 的距离相似。 对于开关速度相当慢的驱动逆变器、微小变化不应成为问题。 如果最终使用较少数量的并联 FET、则距离会进一步减小。

    此致、
    Pawan