[参考译文] TIDA-01605：短路检测电路说明、用户指南第9页

尊敬的 Andrew：

我想您的问题是 VDS 虚假触发点与 R15、R18、R26和 R25值设置之间的关系。 我将解释如下：

当驱动器输出为高电平(如文档中所示为15V)时、该电路将开始感测(VDS+4V)、因此 G2是梳状(S2)的15V 基准电压、如果 D6正向偏置、则 D6阳极电压将为 VDS+0.7V (D6正向压降)、如果 VDS<(15V-D6正向压降)、则应进行偏置)、 假设此处 VDS=10.3V、则 D6阳极电压为11V、使用电阻分压器 R18、R26和 R25 (忽略 D8以简化计算)、D9阴极电压将为(11V+4V)*(R25//R26)/(R18+R25//R26)=3V 基准至-4Vb、其中比较器引脚2具有参考电压 因此、根据图5中的参数、保护的 VDS 阈值实际上约为10.3V。

此致、

网关

您好、Gangyao、

那么、您同意用户指南中存在错误吗？ 解释应指的是 D6、而不是 D5。

如果是、您能否澄清 D5的用途？ 在关断状态期间是否存在钳制栅极电压？ 在 SiC MOSFET 关断且漏极电压升高时、是否可能防止由于通过 D6进行反向恢复而导致栅极电压升高？

此致、

Andrew

您好、Andrew、

D6具有反向恢复功能、并且可以使其阳极电压非常高、D5的目的是将该电压钳制到 Vgate。 我认为用户指南没有明确说明这一点。

此致、

网关