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我们在 TIDA-00195上发现了布局问题。
在布局中、它放置了一个接地平面、该平面连接到高侧 IGBT 栅极驱动器上敏感信号层的 GND2。
我的问题是高侧栅极驱动器的 GND2会出现高 dV/dt。 器件和 IC 周围可能会受到 dV/dt 的影响、对吧?
在 UCC21732-Q1的布局指南中、它提到它仅适用于低侧栅极驱动器、不推荐用于高侧栅极驱动器。
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我们在 TIDA-00195上发现了布局问题。
在布局中、它放置了一个接地平面、该平面连接到高侧 IGBT 栅极驱动器上敏感信号层的 GND2。
我的问题是高侧栅极驱动器的 GND2会出现高 dV/dt。 器件和 IC 周围可能会受到 dV/dt 的影响、对吧?
在 UCC21732-Q1的布局指南中、它提到它仅适用于低侧栅极驱动器、不推荐用于高侧栅极驱动器。
您好 Brian、
感谢您提出问题。 在这种情况下、将接地平面与开关节点位于同一网络中不会导致噪声问题、因为实际的高值开关电流不会通过该平面。 该平面主要用作高侧栅极和其他控制信号电流的回路。 由于开关节点(引脚24)、开关节点的 dv/dt 也不会影响该平面。 本设计中 IGBT 模块 Y 相的25和26)通过 IGBT 模块内部的开尔文连接(下图中用蓝色圆圈标出)连接到此平面(IGBT 模块 Y 相的引脚6)。 因此、您突出显示的平面在很大程度上与高 dv/dt 效应隔离。
请告诉我这是否能解答您的问题。
此致
Siva