[参考译文] TIDA-01168：有关 GaN MOSFET 的问题

您好、Joseph、

感谢您的支持！

在选择 GaNFET 时、您可以查找以下一些关键参数：

RDSon -决定 GaNFET 在导通时的电阻；

MAX VDS - GaNFET 可处理的最大漏源电压；

输出电容-输出电容与开关期间的损耗相关；

dV/dt - FET 导通的速度；与开关损耗相关；

VSD - FET 在第三象限模式下运行时的压降。

IDS -器件可以处理的最大漏源电流。

 通常情况下、Rdson 越大、由于裸片尺寸、输出电容就越小。 您需要根据电路的开关频率以及传导电流来选择这些参数。

GaNFET 的一个主要优势是缺少体二极管、因此没有反向恢复损耗。 当电路以高开关频率运行时、MOSFET 体二极管的反向恢复损耗将成为主要损耗。

GaNFET 的另一个优势是开关损耗更低、开关频率可以推高、从而减小无源组件的尺寸。

然而、GaN 的许多优势在于电路板的良好布局、这意味着需要最大程度地减小共源极、电源环路、栅极环路电感、以获得出色的压摆率以及最小化的过冲。

借助 TI 的 LMG3410系列器件、栅极驱动器集成在带有 GaNFET 的封装中、可确保最大限度地减小栅极环路和共源极电感。 LMG3410系列目前有三个器件：LMG3410R050、LMG3410R070和 LMG3410R150器件、具有上述不同参数。 选择器件时、请确保最大额定电压和电流满足您的应用要求。

如果您需要任何其他信息或有其他问题、请告诉我。

此致、