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[参考译文] TIDA-01168:有关 GaN MOSFET 的问题

Guru**** 1135610 points
Other Parts Discussed in Thread: TIDA-01168, LMG3410R070, LMG3410R150, LMG3410R050
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/876994/tida-01168-questions-about-gan-mosfets

器件型号:TIDA-01168
主题中讨论的其他器件: LMG3410R070LMG3410R150LMG3410R050

您好!

我的团队正在尝试检查 TIDA-01168参考设计的仿真、最终研究在产品中集成宽带隙 MOSFET、以检查效率的差异。

我们希望更改给定的 MOSFET 以及参考设计数据表图18中功率级原理图中的任何其他 MOSFET。  我们需要检查更换功率级中建议的 MOSFET 是否会改变电路工作的效率。   

但是、我们的团队是一群学生、他们对研究 GaN MOSFET 时需要寻找什么以及如何将其集成到电路中没有太多了解。

是否有任何人建议使用 GaN MOSFET 替代原理图中的给定 MOSFET?  我们非常感谢您提供有关如何选择和选择 GaN MOSFET 的任何说明、因此我们可以学习!

谢谢、

王永平

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Joseph、

    感谢您的支持!

    在选择 GaNFET 时、您可以查找以下一些关键参数:

    RDSon -决定 GaNFET 在导通时的电阻;

    MAX VDS - GaNFET 可处理的最大漏源电压;

    输出电容-输出电容与开关期间的损耗相关;

    dV/dt - FET 导通的速度;与开关损耗相关;

    VSD - FET 在第三象限模式下运行时的压降。

    IDS -器件可以处理的最大漏源电流。

     通常情况下、Rdson 越大、由于裸片尺寸、输出电容就越小。 您需要根据电路的开关频率以及传导电流来选择这些参数。

    GaNFET 的一个主要优势是缺少体二极管、因此没有反向恢复损耗。 当电路以高开关频率运行时、MOSFET 体二极管的反向恢复损耗将成为主要损耗。

    GaNFET 的另一个优势是开关损耗更低、开关频率可以推高、从而减小无源组件的尺寸。

    然而、GaN 的许多优势在于电路板的良好布局、这意味着需要最大程度地减小共源极、电源环路、栅极环路电感、以获得出色的压摆率以及最小化的过冲。

    借助 TI 的 LMG3410系列器件、栅极驱动器集成在带有 GaNFET 的封装中、可确保最大限度地减小栅极环路和共源极电感。 LMG3410系列目前有三个器件:LMG3410R050、LMG3410R070和 LMG3410R150器件、具有上述不同参数。 选择器件时、请确保最大额定电压和电流满足您的应用要求。

    如果您需要任何其他信息或有其他问题、请告诉我。

    此致、