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[参考译文] TIDA-00917：TIDA-00917

admin
Guru**** 2540720 points
Other Parts Discussed in Thread: TIDA-00917

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1219348/tida-00917-tida-00917

器件型号：TIDA-00917

德州仪器(TI)的栅极驱动参考设计(TIDA-00917、 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1061902/tida-00917-igbt-gate-driver---cm-choke-sizing-and-current-rating )规定了我们必须在栅极驱动电路中使用共模扼流圈才能共享动态电流，如图1所示。

                    图1.  

1) 1)共模扼流圈如何帮助实现该目的？ 因为我假设有电流流过两个 IGBT 的开尔文源、即、假设电流在 L1的底部绕组流动(图2所示的留下点端子)、 电流将流入 L1顶部绕组的点端子、使 IGBT 快速导通、而 连接到 L3的 IGBT 将使 IGBT 以较慢的速度导通(就像变压器操作一样)。 那么、共模扼流圈如何使 并联的 IGBT 平均共享电流？ (如下图所示)

                       图 2.

2) 2) e2e 问答部分的其中一个内容说、电阻器 R34和 R35在 CM 扼流圈绕组上提供低阻抗/短路路径、以便 DESAT 电路检测短路瞬态。 但阻止差分电流(栅极驱动电流)流经 R34 的是什么( e2e.ti.com/.../tida-00917-igbt-gate-driver---cm-choke-sizing-and-current-rating )。 如果发生这种情况、共模扼流圈不会饱和？

3) 3) R9和 R21、如图 1、用于减小循环电流、如下面的图3所示。 但如果使用该器件、它是否会影响 DESAT 电路以及设置的去饱和电压？

                图 3.

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    TI__Guru**** 2540720 points
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    尊敬的 Vijaymahantesh：

    感谢您联系我们了解 TIDA-00917。

    (1)在您的图(2)中、您没有提及此电流的来源。 无论如何、如果确实发生这种"瞬态"电流、由于 L1是共模扼流圈、它将在 L1的高侧和低侧产生相同的电压。  L1将对该电流产生高电阻、并使其较小以减小栅极驱动电压。 我们参考图(3)中的电路：当 Zpart1和 Zpart2的电阻很高时、环路中的电流很低。

    (2)共模扼流圈只有在有大电流流过其绕组时才可能会饱和。 在短路测试中、主电路中的高电流不会通过该路径、因为共模扼流圈在路径中存在高阻抗、因此 扼流圈不会饱和。

    (3) DESAT 检测具有 IGBT 导通瞬态周期的消隐时间。 因此、这里使用 R9和 R21不是问题。  

    此致、

    杰罗姆·珊

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    TI__Guru**** 2540720 points
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    1)但它不会产生相同的电压,这会加剧这个问题? 如图2中所示。

    2) 2)假设栅极电流峰值为2安培。 它为什么不通过0.01欧姆？ 如果栅极电流流入0.01欧姆的电阻器、则 CM 扼流圈将不会在其绕组中出现相同的差分电流。  

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    TI__Guru**** 2540720 points
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    1)否 由此电流产生的电压在 L1的两侧是相同的、因此 C34上的电压不会改变。 因此不会影响栅极驱动器电路。

    2) 2)这里以 L1为例。  栅极充电电流是共模扼流圈的差分电流、因此 L1为该电流暴露非常低的阻抗。 在这种情况下、栅极充电电流可能不 会流过0.01欧姆电阻器、并且不会影响栅极驱动电路。  另一方面、DESAT 检测电流不会通过 L1的高侧、因此 L1的低侧将具有非常高的阻抗。 在本例中、我们需要使用这个0.01欧姆电阻器让电流绕过 L1。

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    TI__Guru**** 2540720 points
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    1)我已经在 L1和 L3中绘制了感应电压(下图附在下面)。 在动态条件下、它是否不会增加 L1中的栅极电压并减去 L3中的栅极电压、这意味着之后导通的 IGBT 将在更长时间后导通、另一个导通速度更慢、从而使其速度更慢。

    2) TID00917中使用的 CM 扼流圈(B82789C0113N002)的直流电阻为250 m Ω、并联增加了10 m Ω 电阻。 CM 扼流圈是否提供低于10 m Ω 的阻抗？

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    TI__Guru**** 2540720 points
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    1)一方面, L1和 L3都将对这种电流高耐受性,如果它发生。 另一方面、由于 L1两侧的压降相同、C34上的电压不会改变。 因此对 栅极驱动没有影响。 它在 L3中。  

    2) 2)很抱歉忽略了此处的 CM 扼流圈直流电阻。 然而，它对上述结论没有影响： 栅极充电电流不会受到影响、因为它是 CM 的差分电流、但 DESAT 检测电流将依靠这个0.01欧姆电阻器来旁路、因为 CM 楔块将对其显示高阻抗。

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    TI__Guru**** 2540720 points
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    我还有一个与 SiC 分立 MOSFET 并联时的 DESAT 操作有关的问题。 如果我们如 TIDA-00917中所示将 两个 MOSFET 漏极连接到 DESAT 引脚(当然还有相关电路)、如果两个 SiC MOSFET 之间的电流共享不一样、那不是问题吗？ 是否必须包含任何额外的电路来避免由于两者之间的电流共享不同而出现此问题、即承载更大电流的 MOSFET 将具有更大的电压(VDS)、 但是、电流较低的放大器将具有较低的电压、这会有效地拉低电压(VDS)。 器件并联时不会有问题吗？

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    TI__Guru**** 2540720 points
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    CLMAP 引脚在设计中保持断开。 在并联时、我们是否必须将其保持开路或连接到 Vee (以将其禁用)？ 或者、它仍然可以直接连接到器件的两个栅极(两个栅极与 CLAMP 引脚之间的布线长度相同)吗？

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    TI__Guru**** 2540720 points
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    当两个并联工作的器件无法均等共享电流时、电流越大、电流越大、Tj 越高、则 Rds (on)越高、流经该器件的电流越小。 这是一个自然的负反馈过程。 没有它、两个器件将无法并行工作。

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    TI__Guru**** 2540720 points
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    保持锁模销断开是可以的。 当在应用中使用负电源(VEE)时、通常无需钳位。