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器件型号：PSpice-for-TI 您好！
我尝试了对这两个模型的 Vds 进行扫描 MbreakN 和 Power_NMOS_P 以及 漏极电流 、获得了以下电流曲线、
这些模型之间有什么区别,使它们产生不同的特征?
这里是对 Power_NMOS_P 和
这会扫描 MbreakN 的 Vds、这似乎与我们先前讨论的理论
我还注意到、MOSFET 2N7000与第一次仿真相匹配。
这是我在针对两个 MOSFET 的仿真中使用的简单原理图
提前感谢您、
Br、
AMR Wael
